JPH10293782A - Layout compiling method and design system - Google Patents

Layout compiling method and design system

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JPH10293782A
JPH10293782A JP10049180A JP4918098A JPH10293782A JP H10293782 A JPH10293782 A JP H10293782A JP 10049180 A JP10049180 A JP 10049180A JP 4918098 A JP4918098 A JP 4918098A JP H10293782 A JPH10293782 A JP H10293782A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To perform compilation to integrated logic and a DRAM system on a single chip from the hardware description language and wiring description of design composed of a DRAM macro and a logic macro by integrating logic and a DRAM memory to the same chip. SOLUTION: From a single processor memory chip for which a processor 21 is connected to a DRAM 22 by on-chip mutual connection 23, off-chip mutual connection disappears. Thus, by DRAM I/O and internal control, a memory data transfer rate utilizable for the processor 21 is raised for many digits. By integrating the processor 21 and the DRAM 22 to the same chip, the length of the on-chip mutual connection 23 and a capacitive load are substantially reduced and optimization is performed further by making the length of a wire shortest. As a result, a system clock speed is accelerated further and performance is improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は総括的に論理および
メモリ構成要素のシングル・チップ・インプリメンテー
ションに関し、詳細にいえば、論理構成要素とメモリ構
成要素からなる設計のハードウェア記述言語(HDL)
を、論理およびダイナミック・ランダム・アクセス・メ
モリ(DRAM)回路のフロア・プラン、マクロおよび
レイアウト構造が最適化されたシリコン・チップ上のレ
イアウトに変換(コンパイル)するシステムオンチップ
・レイアウト・オートメーションの方法に関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates generally to single-chip implementations of logic and memory components, and, more particularly, to a hardware description language (HDL) for a design comprising logic components and memory components. )
System-on-chip layout automation method for converting (compiling) a layout on a silicon chip with optimized floor plans, macros and layout structures for logical and dynamic random access memory (DRAM) circuits About.

【0002】[0002]

【従来の技術】今日のマイクロプロセッサとメイン・メ
モリで示されている、プロセッサの計算速度(たとえ
ば、MIPSすなわちmillions of instructions per s
econdで測定される)とメモリのアクセス・データ転送
率の間の差であるパフォーマンス・ギャップは、チップ
の新しい世代ごとにますます大きくなっている。グラフ
ィックス・コントローラ(プロセッサ)とフレーム・バ
ッファ(メモリ)との間の帯域幅のボトルネックが、従
来の表示サブシステムのパフォーマンスを制限してい
る。
2. Description of the Related Art The computational speed of processors (eg, MIPS, or Millions of Instructions per Instructions), has been demonstrated in today's microprocessors and main memory.
The performance gap, which is the difference between memory access data transfer rate (measured in econd) and memory access data rates, is increasing with each new generation of chips. Bandwidth bottlenecks between the graphics controller (processor) and the frame buffer (memory) limit the performance of conventional display subsystems.

【0003】プロセッサとダイナミック・ランダム・ア
クセス・メモリ(DRAM)とを備えたシステムにおけ
る上記の問題の主な理由は、プロセッサ・チップとメモ
リ・チップとが別々のチップで実施されていることによ
るものである。これらの問題を解決するために他の試み
がなされている。すなわち、多層セラミック・モジュー
ル(MCM)技術によるもの、あるいは個々のシリコン
・チップをまとめて収納するシリコン・オン・インシュ
レータ(SOI)技術によるものである。しかし、これ
はプロセッサ(論理)とメモリ(DRAM)とが異なる
チップにインプリメントされ、その結果、プロセッサと
メモリの間の限定された帯域幅とオフチップ相互接続に
現れる大きい容量性負荷が全体的なシステム・パフォー
マンスを依然制限しているという問題を取り上げてはい
ない。
A major reason for the above problems in systems with processors and dynamic random access memories (DRAMs) is that the processor and memory chips are implemented on separate chips. It is. Other attempts have been made to solve these problems. In other words, it is based on a multilayer ceramic module (MCM) technology or a silicon-on-insulator (SOI) technology that collectively stores individual silicon chips. However, this is because the processor (logic) and the memory (DRAM) are implemented on different chips, so that the limited bandwidth between the processor and the memory and the large capacitive load appearing on off-chip interconnects is reduced. It does not address the issue of still limiting system performance.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、DRAMマクロと論理マクロ(たとえば、ゲー
ト・アレイ、標準セル、カスタム設計回路、マイクロプ
ロセッサ、テスト回路)からなる設計のハードウェア記
述言語(HDL)および配線記述から、シングル・チッ
プ上の集積論理およびDRAMシステムへのコンパイル
を行うためのレイアウト・コンパイラを提供することで
ある。
Accordingly, it is an object of the present invention to provide a hardware description language for a design comprising a DRAM macro and a logic macro (eg, a gate array, a standard cell, a custom design circuit, a microprocessor, a test circuit). (HDL) and wiring description to provide a layout compiler for compilation into integrated logic and DRAM systems on a single chip.

【0005】本発明の他の目的は、システム/回路配線
記述から統合論理/DRAMチップの物理的構造(フロ
アプラン)を作成するレイアウト・コンパイラを提供す
ることである。
It is another object of the present invention to provide a layout compiler for creating a physical structure (floor plan) of an integrated logic / DRAM chip from a system / circuit wiring description.

【0006】本発明のさらに他の目的は、メモリ容量、
バンキングおよび入出力(I/O)帯域幅の量がさまざ
まな基本DRAM構築ブロック、物理的構造、回路、お
よび埋込み型の成長可能DRAMマクロから、広範囲な
統合論理/DRAM用途のためのさまざまなアドレス指
定手法、さまざまな動作モード(たとえば、非同期、同
期、ページ、パイプラインおよびインタリーブ)、およ
びタイミング要件を作成するための、統合論理/DRA
Mチップ用のコンパイラ設計システムの主要構成要素で
あるDRAMコンパイラ/コンフィギュレータを提供す
ることである。
Still another object of the present invention is to provide a memory capacity,
From basic DRAM building blocks, physical structures, circuits, and embedded growable DRAM macros with varying amounts of banking and input / output (I / O) bandwidth, a variety of addresses for a wide range of integrated logic / DRAM applications Integrated logic / DRA for creating specified techniques, various modes of operation (eg, asynchronous, synchronous, page, pipeline and interleaving), and timing requirements
An object of the present invention is to provide a DRAM compiler / configurator which is a main component of a compiler design system for M chips.

【0007】本発明のさらにまた他の目的は、DRAM
マクロと論理マクロの間のオンチップ相互接続を生成し
て、プロセッサおよびメモリ・システムに関する従来技
術のディスクリートなマルチチップ・インプリメンテー
ションにおける帯域幅ボトルネック問題を解決するレイ
アウト方法を提供することである。
[0007] Still another object of the present invention is to provide a DRAM.
To provide an on-chip interconnect between macros and logic macros to provide a layout method that solves the bandwidth bottleneck problem in prior art discrete multi-chip implementations for processors and memory systems. .

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、論理プ
ロセッサとDRAMメモリがシングル・チップ上に統合
される。これは上述のプロセッサ/メモリのパフォーマ
ンス・ギャップと帯域幅の問題を解決する。論理とDR
AMメモリとを同一チップに統合することにより、論理
プロセッサの最大データ処理速度とDRAMメモリの最
大データ・アクセス速度の差が最小限とすることができ
る。開示するレイアウト方法はオフチップ・ドライバ
と、プロセッサおよびメモリ・システムに関する従来技
術のディスクリートなマルチチップ・インプリメンテー
ションにおけるオフチップ相互接続に現れる大きい容量
性負荷をなくする。電力損失が低いことが高周波数動作
時の統合論理/DRAMチップの直接的な結果である。
According to the present invention, a logic processor and a DRAM memory are integrated on a single chip. This solves the processor / memory performance gap and bandwidth issues discussed above. Logic and DR
By integrating the AM memory with the same chip, the difference between the maximum data processing speed of the logical processor and the maximum data access speed of the DRAM memory can be minimized. The disclosed layout method eliminates the off-chip drivers and the large capacitive loads that appear on off-chip interconnects in prior art discrete multi-chip implementations for processors and memory systems. Low power loss is a direct result of the integrated logic / DRAM chip during high frequency operation.

【0009】本発明によるレイアウト方法はオフチップ
・ドライバと、プロセッサおよびメモリの間の大きい容
量性負荷をなくする。その結果、統合プロセッサおよび
メモリ・チップのクロック周波数をさらに高くして、シ
ステム・パフォーマンスを改善することができる。この
レイアウト方法はDRAMマクロと論理マクロの間のオ
ンチップ相互接続をもたらし、これがプロセッサおよび
メモリ・システム用の従来のDRAMパッケージにおけ
るピン密度の制約を軽減する。さらに、このレイアウト
方法は修正のためにアクセス可能なDRAMマクロの内
部レイアウトを作成する。その結果、プロセッサおよび
メモリ・システムの全体的な設計を性能に関してさらに
向上させ、特定の用途に合わせてカスタム化することが
できる。さらに、このレイアウト方法は制御論理マクロ
/回路を柔軟に追加して、統合プロセッサおよびメモリ
・チップ・レイアウトの全体的な性能および動作を最適
化することを可能とする。
[0009] The layout method according to the present invention eliminates the large capacitive load between off-chip drivers and processors and memories. As a result, the clock frequency of the integrated processor and memory chips can be further increased to improve system performance. This layout method results in an on-chip interconnection between the DRAM macro and the logic macro, which alleviates the pin density constraints in conventional DRAM packages for processor and memory systems. Further, the layout method creates an internal layout of the DRAM macro that is accessible for modification. As a result, the overall design of the processor and memory system can be further enhanced in terms of performance and customized for a particular application. Further, the layout method allows for the flexibility to add control logic macros / circuits to optimize the overall performance and operation of the integrated processor and memory chip layout.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図面、特に図1を参照すると、従
来のマルチチップ・プロセッサおよびメモリ・システム
が示されており、該システムにおいては、プロセッサ1
1が通常はDRAMチップによって構成されているメモ
リ12へ、オフチップ相互接続13(たとえば、システ
ム・バス)によって接続されている。このシステムに
は、オフチップ相互接続による限定された帯域幅、およ
び大きい容量性付加による高い電力損失という問題があ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Referring to the drawings, and in particular to FIG. 1, a conventional multi-chip processor and memory system is shown, in which a processor 1 is shown.
1 is connected by an off-chip interconnect 13 (e.g., a system bus) to a memory 12, which is typically comprised of a DRAM chip. This system suffers from limited bandwidth due to off-chip interconnects and high power loss due to large capacitive additions.

【0011】図2はプロセッサ21がオンチップ相互接
続23によってDRAM22へ接続されているシングル
・プロセッサ・メモリ・チップを示す。図2に示すよう
にオフチップ相互接続が姿を消しているので、DRAM
I/Oおよび内部制御によって、プロセッサに利用で
きるメモリ・データ転送率(単位時間あたりのビット
数)を何桁も高くできるため、帯域幅の問題はほとんど
なくなる。
FIG. 2 shows a single processor memory chip in which processor 21 is connected to DRAM 22 by on-chip interconnect 23. Since the off-chip interconnect is gone as shown in FIG.
With I / O and internal control, the memory data transfer rate (bits per unit time) available to the processor can be increased by orders of magnitude, so that bandwidth issues are almost eliminated.

【0012】図1に示すようなオフチップ相互接続に現
れる大きい容量性負荷のため、電力損失は大きいが、図
2に示すようにプロセッサとDRAMを同一のチップに
統合することにより、オンチップ相互接続の長さと容量
性負荷がはるかに小さくなり、またワイヤの長さを最短
とすることによってさらに最適化できるため、電力損失
を大幅に少なくすることができる。その結果、システム
・クロック速度をさらに上げて、パフォーマンスを改善
できる。
Although the power loss is large due to the large capacitive load appearing in the off-chip interconnect as shown in FIG. 1, the integration of the processor and DRAM on the same chip as shown in FIG. Power losses can be significantly reduced because the connection length and capacitive load are much smaller and can be further optimized by minimizing the wire length. As a result, the system clock speed can be further increased and performance can be improved.

【0013】図3は複数のチップの論理31とDRAM
32がシステム・バスなどの共通バス33に接続されて
いる従来のシステムを示す。これと対照的に、DRAM
チップと論理チップを単一のチップに組合せることので
きる各種の形態(すなわち、チップのフロア・プラン)
を図4ないし図7に示す。図4はDRAM構成要素と論
理構成要素を単一のチップにおく際の基本構造を示す。
論理部分は1つまたは複数のプロセッサ、制御ユニッ
ト、およびグラフィック、ディジタル信号プロセッサな
どの各種のサブシステムを含んでいる。DRAM部分は
論理部分に対するメモリ/キャッシュを実施している。
DRAM部分と論理部分とは高帯域幅のオンチップバス
によって接続されている。チップI/Oインタフェース
やクロック生成などの他の構成要素も含まれている。
FIG. 3 shows a logic 31 of a plurality of chips and a DRAM.
1 shows a conventional system in which 32 is connected to a common bus 33 such as a system bus. In contrast, DRAM
The various forms in which a chip and a logic chip can be combined into a single chip (ie, chip floor plan)
Are shown in FIGS. 4 to 7. FIG. 4 shows the basic structure when placing DRAM components and logic components on a single chip.
The logic portion includes one or more processors, control units, and various subsystems such as graphic and digital signal processors. The DRAM part implements the memory / cache for the logical part.
The DRAM portion and the logic portion are connected by a high bandwidth on-chip bus. Other components such as chip I / O interface and clock generation are also included.

【0014】図5、図6および図7は統合DRAM/論
理チップの各種の変形を示す。図5はDRAMがフォー
ム・ファクタ、細分性を満たし、最適化するとか、DR
AMの帯域幅を上げるなどのさまざまな理由でいくつか
のDRAMマクロに分割されている統合DRAM/論理
チップを示す。
FIGS. 5, 6 and 7 show various variations of the integrated DRAM / logic chip. Figure 5 shows that DRAM satisfies form factor, granularity, and optimization.
FIG. 4 illustrates an integrated DRAM / logic chip that has been split into several DRAM macros for various reasons, such as increasing the bandwidth of the AM.

【0015】図6はマイクロプロセッサ(μP)、2レ
ベルのキャッシュ(CA1およびCA2)、DRAMベ
ースのメモリ、システムおよびバス制御ユニット、マル
チメディア・アプリケーション用のディジタル・プロセ
ッサ(DP)およびビデオ・エンジン(VE)、通信お
よびグラフィック・アプリケーション用のアナログ・サ
ブシステム(AS)、ならびにクロック・サブシステム
およびチップI/Oインタフェースがチップ上で統合さ
れているコンピューティング・システムを示す。
FIG. 6 shows a microprocessor (μP), two-level caches (CA1 and CA2), DRAM-based memory, system and bus control units, a digital processor (DP) and a video engine (MP) for multimedia applications. VE), an analog subsystem (AS) for communications and graphics applications, and a computing system in which a clock subsystem and a chip I / O interface are integrated on a chip.

【0016】図7は各々がグラフィック、ハードウェア
・シミュレーションなどの並列処理アプリケーション用
の論理要素およびDRAM要素で構成されている処理要
素(P)のアレイを示す。各処理要素Pはローカルな統
合論理/DRAMユニットであり、論理プロセッサ、制
御ユニット、ローカルDRAMメモリおよびローカル・
バスからなっている。処理要素Pは2次元のグローバル
・バスによって相互に接続されている。システム制御ユ
ニットはチップに対する全体的なシステム制御部として
働く。
FIG. 7 shows an array of processing elements (P) each comprised of logic elements and DRAM elements for parallel processing applications such as graphics, hardware simulation, and the like. Each processing element P is a local integrated logic / DRAM unit, a logical processor, a control unit, a local DRAM memory and a local
It consists of a bus. Processing elements P are interconnected by a two-dimensional global bus. The system control unit acts as an overall system control for the chip.

【0017】従来のメモリ設計はレイアウトを完全に最
適化するために多くのマンイヤーの手作業を必要とする
時間のかかるプロセスを必要とする。この手法は大量生
産にはきわめて効果的なものである。近年、特に幅の広
いI/O、同期インタフェース、パイプラインおよびイ
ンターリーブ、マルチバンク・アーキテクチャなどの新
しいアーキテクチャを作り出すことによって、各種のD
RAMチップがプロセッサの性能に合せることを試みて
いる。
Conventional memory design requires a time consuming process that requires many man-years of manual work to fully optimize the layout. This method is very effective for mass production. Recently, by creating new architectures such as particularly wide I / O, synchronous interfaces, pipelines and interleaves, and multi-bank architectures, various D
RAM chips are trying to match the performance of processors.

【0018】本明細書に記載する方法はDRAMマクロ
構造を特定の用途の要件を満たすことを可能とする。こ
れはDRAMマクロの内部構造およびレイアウトがオン
チップでアクセス可能となるため、対応する論理部分に
よるパフォーマンスおよび機能的拡張に合せたDRAM
構造の再構成が行えるようになるからである。図8はデ
ィスクリートDRAMチップ52と論理チップ53を備
えたシステムを示す。図示の例においては、m個のDR
AMチップ52があり、各チップはnビットを有してお
り、各DRAMチップのI/Oはbビット幅である。し
たがって、n×mビットのDRAMがあり、システム帯
域幅はf×bである(ただし、fはシステム・クロック
周波数である)。
The method described herein allows a DRAM macro structure to meet the requirements of a particular application. This is because the internal structure and layout of the DRAM macro can be accessed on-chip, so that the DRAM can be adapted to the performance and functional expansion by the corresponding logic part.
This is because the structure can be reconfigured. FIG. 8 shows a system including a discrete DRAM chip 52 and a logic chip 53. In the illustrated example, m DRs
There is an AM chip 52, each chip has n bits, and the I / O of each DRAM chip is b bits wide. Thus, there are n × m bits of DRAM, and the system bandwidth is f × b (where f is the system clock frequency).

【0019】図9はディスクリートな場合のDRAMが
いくつかのDRAMマクロの形態で単一のチップに統合
される異なる方法を示す。オンチップのDRAMマクロ
の構成は、(1)M個のオンチップDRAMマクロ、
(2)各DRAMマクロにおけるY個のサブDRAMマ
クロ、(3)各サブDRAMマクロ内のX個の基本DR
AMビルディング・ブロック(A)、(4)マクロあた
りB個のI/Oデータ・ビット、(5)外部オンチップ
・アドレス、データ、RAS、CAS、CEなど、制御
バスを駆動するDRAMマクロ、ならびに内部ビット・
ライン、ワード・ラインなどのためのDRAMマクロ内
のドライバの出力駆動電力に関してカスタム化すること
ができる。DRAMマクロに対するI/Oの最大数B
maxはBmax=X Imaxで与えられる(ただし、Imax
基本ビルディング・ブロック(A)が与えることのでき
る最大I/Oである)。
FIG. 9 illustrates the different ways in which the DRAM in the discrete case can be integrated on a single chip in the form of several DRAM macros. The configuration of the on-chip DRAM macro is (1) M on-chip DRAM macros,
(2) Y sub DRAM macros in each DRAM macro, (3) X basic DRs in each sub DRAM macro
AM building blocks (A), (4) B I / O data bits per macro, (5) External on-chip address, data, DRAM macro driving control bus, such as RAS, CAS, CE, etc., and Internal bit
The output drive power of the driver in the DRAM macro for lines, word lines, etc. can be customized. Maximum number of I / Os for DRAM macro B
max is given by B max = X I max , where I max is the maximum I / O that the basic building block (A) can provide.

【0020】統合DRAM/論理チップにM個のDRA
Mマクロがあるものとする。マクロは任意の所与のサイ
クルにおいて、特定のバンクのM/K個のマクロが活動
状態となるように、K個のグループ(バンク)に分割さ
れている。全体的なオンチップDRAMのI/O幅はB
M/Kビットであり、これはディスクリートなものにお
けるbビットよりもはるかに大きい。統合DRAM/論
理チップがクロック周波数Fで動作する場合、DRAM
/論理データ・バスの帯域幅はFBM/Kビット/秒と
なる。Fが一般に、f(ディスクリート・マルチチップ
構成のバスクロック周波数)よりも大きい(高速)であ
り、統合されたもののDRAM I/O幅BはFBM/
Kビット/秒となり、これはディスクリートなもののb
よりも大きいため、統合されたものの全体的なデータ・
バスの帯域幅はディスクリートなもののfbビット/秒
よりもはるかに大きい。
M DRAs in an integrated DRAM / logic chip
Assume that there is an M macro. The macros are divided into K groups (banks) so that at any given cycle, M / K macros in a particular bank are active. The overall on-chip DRAM I / O width is B
M / K bits, which is much larger than b bits in discrete ones. When the integrated DRAM / logic chip operates at the clock frequency F, the DRAM
/ The bandwidth of the logical data bus will be FBM / Kbit / sec. F is generally larger (higher speed) than f (bus clock frequency in a discrete multi-chip configuration), and the integrated DRAM I / O width B is FBM /
K bits / sec, which is a discrete but b
Larger, so the overall data
The bus bandwidth is much higher than discrete but fb bits / sec.

【0021】図10は可変容量(X、Y、aビット)お
よび可変I/O幅(Bビット)(ただし、aは基本ビル
ディング・ブロックA内のビットの数)の2次元に成長
可能で柔軟なDRAMマクロのブロック図である。DR
AMマクロの、たとえば1Mb、2Mb、3M
b、...、16Mbの可変容量は、DRAMマクロの
行デコーダおよびアドレス・ラインをカスタム化するこ
とによって可能となる。DRAMをディスクリート・チ
ップとして実施した場合、これは不可能である。各DR
AMサブマクロのサブアレイに、センス増幅器、列デコ
ーディング論理、周辺回路(図10に示したDRAMマ
クロの下方部分に配置されている)のI/O接続を構成
することにより、たとえばX1、X4、X8、X16な
どの可変I/O幅(Bビット)のDRAMマクロを生成
することができる。DRAMマクロのxおよびy寸法を
変えると、ビット・ラインおよびワード・ラインのドラ
イバが、抵抗およびキャパシタンスのロード時に変更に
合せて適宜調節される。DRAMマクロの出力ドライバ
のドライバ電力は、抵抗およびキャパシタンスのローデ
ィングが変えられたときに、外部オンチップ・アドレ
ス、データ、RAS、CAS、CEなどの制御バスを駆
動するようにプログラムされる。
FIG. 10 shows a variable capacity (X, Y, a bits) and variable I / O width (B bits) (where a is the number of bits in the basic building block A) two-dimensionally growable and flexible. FIG. 3 is a block diagram of a DRAM macro. DR
AM macro, eg 1Mb, 2Mb, 3M
b,. . . , 16 Mb are made possible by customizing the row decoder and address lines of the DRAM macro. This is not possible if the DRAM is implemented as a discrete chip. Each DR
By configuring I / O connections of sense amplifiers, column decoding logic, and peripheral circuits (located below the DRAM macro shown in FIG. 10) in the sub-array of the AM sub-macro, for example, X1, X4, X8 , X16, etc., can be generated with a variable I / O width (B bits). As the x and y dimensions of the DRAM macro are changed, the bit line and word line drivers are adjusted accordingly for the changes in the loading of the resistors and capacitances. The driver power of the output driver of the DRAM macro is programmed to drive the control bus such as external on-chip address, data, RAS, CAS, CE, etc. when the loading of the resistance and capacitance is changed.

【0022】オンラインDRAMマクロのアドレス・ラ
インはアドレスI/Oピン・カウントの制約によるディ
スクリートDRAMの場合の多重化ではなく、カスタム
行デコーダによって直接並列にアクセスできる。その結
果、オンチップDRAMはディスクリートなマルチチッ
プDRAM/論理構成に比較して、アドレス設定時間が
短いという利点を有する。
The address lines of the online DRAM macro can be accessed directly and in parallel by a custom row decoder, rather than the multiplexing of discrete DRAMs due to address I / O pin count constraints. As a result, the on-chip DRAM has the advantage that the address setting time is shorter than that of a discrete multi-chip DRAM / logic configuration.

【0023】オンチップDRAMマクロのカスタム周辺
部分にパイプライン・レジスタを追加することにより
(図10参照)、従来のディスクリートDRAMの読み
書きアクセス時間を、「同期」モードで動作するいくつ
かの小さい時間ステップに分割することができる。それ
故、オンチップDRAMマクロは数倍高速なクロック周
波数で動作することができ、またデータを論理とDRA
Mの間ではるかに速い速度で読み書きすることができ
る。同期パイプライン・サイクル時間に対する読み書き
アクセス時間の比率は、そのDRAMマクロに対するチ
ップ・アーキテクチャの設計パラメータである。
By adding pipeline registers to the custom peripheral portion of the on-chip DRAM macro (see FIG. 10), the read and write access times of a conventional discrete DRAM can be reduced by several small time steps operating in "synchronous" mode. Can be divided into Therefore, the on-chip DRAM macro can operate at a clock frequency several times faster, and also stores data in logic and DRA.
M can be read and written at much faster speeds. The ratio of read / write access time to synchronous pipeline cycle time is a design parameter of the chip architecture for that DRAM macro.

【0024】本明細書に記載する方法によって、プロセ
ッサ/論理とDRAMとの間のインタフェースの修正
を、ADDR、RASおよびCASタイミング、DRA
M制御信号(WE、CE)のタイミング、クロック周波
数などのDRAMマクロ固有の要件に合った態様で行え
るようになる。同期、非同期、ページ・モードなどのD
RAMの異なる動作モードを、論理/DRAMインタフ
ェース回路を設計することによって、全体的なチップ・
アーキテクチャに組み込むことができる。その結果、論
理とDRAMの間の全体的なパフォーマンスがさらに向
上する。
In accordance with the method described herein, modification of the interface between the processor / logic and the DRAM can be performed using ADDR, RAS and CAS timing, DRA.
This can be performed in a manner that meets the requirements specific to the DRAM macro, such as the timing and clock frequency of the M control signals (WE, CE). D for synchronous, asynchronous, page mode, etc.
By designing the logic / DRAM interface circuit, the different operation modes of RAM can be used to
Can be incorporated into the architecture. As a result, the overall performance between logic and DRAM is further improved.

【0025】本明細書に記載する方法は論理マクロとD
RAMマクロとを同一のチップに統合し、統合過程で論
理構成要素とDRAM構成要素にアクセスできるもので
あるから、これらの組み合わせ動作および全体的なパフ
ォーマンスに合せて最適化する。
The method described herein uses a logic macro and D
Since the RAM macro and the RAM chip can be integrated on the same chip and the logic component and the DRAM component can be accessed in the integration process, optimization is performed according to the combined operation and overall performance.

【0026】本明細書に記載する方法は同一のシリコン
・チップへの論理マクロとDRAMマクロの統合に関係
した雑音の問題に対処するものである。DRAMと論理
を異なるチップ上においた場合、論理回路によるdI/
dtスイッチング雑音がDRAMセルおよびセンス増幅
器から分離される。論理マクロとDRAMマクロを同一
のチップ上においた場合、論理回路からのスイッチング
雑音は電源バスを通して伝播/結合し、DRAM電圧源
の電圧劣化のため、DRAM回路の適正な動作に影響を
及ぼす。論理回路とDRAM回路の間のノイズ・カップ
リングを分離するための、キャパシタンスをデカップリ
ングし、電力バスの経路を定める特別な構造について記
載する(以下で、図14および図17を参照して)。
The method described herein addresses the noise problem associated with integrating logic and DRAM macros on the same silicon chip. When the logic is arranged on a different chip from the DRAM, the dI /
dt switching noise is isolated from DRAM cells and sense amplifiers. When the logic macro and the DRAM macro are placed on the same chip, switching noise from the logic circuit propagates / couples through the power supply bus, and affects the proper operation of the DRAM circuit due to the deterioration of the voltage of the DRAM voltage source. A special structure is described for decoupling capacitance and routing the power bus to isolate noise coupling between logic and DRAM circuits (see below with reference to FIGS. 14 and 17). .

【0027】図11は4つのDRAMマクロ(たとえ
ば、4−6Mビット)、ゲート・アレイ論理マクロ、カ
スタム・マクロ、位相ロック・ループ、および低電力ビ
デオ表示アプリケーション用のチップI/Oドライバな
どのその他のサポート・マクロで構成された統合論理/
DRAMチップのチップ・レイアウト構造を示す。DR
AMマクロはディスクリート・マルチチップ・インプリ
メンテーションで見られるようなフレーム・バッファと
して働く。
FIG. 11 shows four DRAM macros (eg, 4-6 Mbits), gate array logic macros, custom macros, phase locked loops, and others such as chip I / O drivers for low power video display applications. Logic composed of support macros for
1 shows a chip layout structure of a DRAM chip. DR
The AM macro acts as a frame buffer as found in a discrete multichip implementation.

【0028】図12は本発明によるシステムオンチップ
・レイアウト・コンパイルの方法およびシステムを示
す。一連のコンピュータ支援設計(CAD)ステップを
介して、メモリ構成要素と論理構成要素からなるチップ
設計のハードウェア記述言語(HDL)から始めると、
HDLをチップのフロア・プラン、マクロ・レイアウ
ト、最後にチップの完全なレイアウトに「コンパイル」
することができる。
FIG. 12 illustrates a method and system for system-on-chip layout compilation according to the present invention. Starting from a hardware description language (HDL) of a chip design consisting of memory components and logical components through a series of computer aided design (CAD) steps,
"Compile" HDL into chip floor plan, macro layout, and finally complete layout of chip
can do.

【0029】制御マクロ、プロセッサ・マクロ、DRA
Mマクロ、チップI/O、クロック・マクロ、および各
種のアナログ、グラフィック、ディジタル信号処理サブ
システムからなる設計のHDLおよび配線が単一チップ
のレイアウトにコンパイルされる。プロセッサとDRA
Mは従来別々なチップで製造されていたが、本発明は組
合せ論理/DRAMチップの一般的な物理的構造(フロ
アプラン)を記載する。本発明による方法はDRAMマ
クロと論理マクロの物理的構造を生成し、かつ低電力損
失および短いサイクル時間に合せて、さまざまなDRA
Mマクロと論理マクロの間の低キャパシタンスのオンチ
ップ相互接続を生成し、最適化する。本発明による方法
は、統合論理/DRAMチップ用の全体的なチップ・レ
イアウトも生成する。
Control macro, processor macro, DRA
The HDL and wiring of the design consisting of M macros, chip I / O, clock macros, and various analog, graphic, and digital signal processing subsystems are compiled into a single chip layout. Processor and DRA
Although M was conventionally manufactured on separate chips, the present invention describes the general physical structure (floor plan) of a combinational logic / DRAM chip. The method according to the present invention generates the physical structure of DRAM macros and logic macros, and accommodates various DRAs for low power loss and short cycle times.
Create and optimize low capacitance on-chip interconnections between M and logic macros. The method according to the invention also produces an overall chip layout for the integrated logic / DRAM chip.

【0030】従来の設計システムは主に、プロセッサと
論理を1つのチップにおき、DRAMを他の単一のチッ
プにおく問題を扱うものであり、本明細書に記載するよ
うに単一チップ上の組み合せた論理およびDRAM論理
という問題を対象としていない。DRAMチップのレイ
アウトはDRAMの大量生産用に高い密度と高い歩留ま
りを達成するために、主に手作業で行われていた。本発
明は統合論理/DRAMチップに対する要件にしたがっ
てDRAMマクロのメモリ容量、I/Oの幅、アクセス
時間、R/Wモードなどの物理的構造を構成するための
一連のコンピュータ支援設計ステップである。本方法は
単一チップ上でDRAMマクロとともに機能する論理マ
クロの構造/レイアウトも作成する。
Conventional design systems primarily address the problem of placing the processor and logic on one chip and the DRAM on another single chip, as described herein. It does not address the problem of combined logic and DRAM logic. The layout of DRAM chips has been mainly done manually to achieve high density and high yield for mass production of DRAM. The present invention is a series of computer-aided design steps for configuring physical structures such as DRAM macro memory capacity, I / O width, access time, R / W mode, etc. according to requirements for integrated logic / DRAM chips. The method also creates the structure / layout of a logic macro that works with the DRAM macro on a single chip.

【0031】本方法は設計のハードウェア記述言語か
ら、個々のDRAMマクロおよび個々の論理マクロを含
む統合論理/DRAMチップの全体的な物理的構造(フ
ロア・プラン)も生成する。本方法は各種のDRAMマ
クロおよび論理マクロを組み立てて、統合論理/DRA
Mチップの最終的なレイアウトも形成する。
The method also generates from the hardware description language of the design the overall physical structure (floor plan) of the integrated logic / DRAM chip, including individual DRAM macros and individual logic macros. The method assembles various DRAM macros and logic macros into an integrated logic / DRA
The final layout of the M chips is also formed.

【0032】チップ上の統合システムは前述のように、
機能的に異なるいくつかのエンティティ(すなわち、マ
クロ)からなる。マイクロプロセッサ、グラフィック/
ビデオ・コントローラ、ディジタル信号プロセッサなど
のいくつかのエンティティは、複雑なチップを形成する
ための設計統合時に変更されることのない十分に定義さ
れ、十分に規定された内部基本コアを有している。
The integrated system on the chip, as described above,
It consists of several functionally different entities (ie macros). Microprocessor, graphics /
Some entities, such as video controllers and digital signal processors, have well-defined and well-defined internal base cores that do not change during design integration to form complex chips .

【0033】図12に示すように、DRAMコンフィギ
ュレータ/コンパイラ901はDRAMメモリ・サブシ
ステム仕様902から入力を受け、前述のようにプリミ
ティブDRAMアレイ、センス増幅器、デコーダなどに
基づいてDRAMサブマクロおよびサブアレイ、行およ
び列デコーダ、周辺タイミングおよびI/O回路を構成
することによってDRAMマクロの全体的な回路および
レイアウトを生成して、統合DRAMおよび論理システ
ム、DRAMマクロ容量および対応するアドレス・ライ
ン、同期パイプライン・クロック速度、I/O幅などに
対する機能およびタイミング要件を満たす。DRAMコ
ンフィギュレータ901の出力は3つのデータベース、
すなわちハードウェア記述データベース903、論理お
よび回路データベース904、ならびにカスタム・レイ
アウト機能905を介して、レイアウト・データベース
906へ供給される。DRAMマクロが単一の一意の設
計として、ディスクリートDRAMの場合ほど最適化さ
れていないため、モジュラおよびパラメトリック技法を
使用して、要求される統合DRAM/論理アプリケーシ
ョンの範囲に対するタイミングおよび機能の要件を満た
すために、DRAMマクロの回路およびレイアウトを規
定し、作成する。
As shown in FIG. 12, a DRAM configurator / compiler 901 receives an input from a DRAM memory subsystem specification 902 and, based on a primitive DRAM array, a sense amplifier, a decoder, etc., a DRAM sub-macro and sub-array, row And the overall circuit and layout of the DRAM macro by configuring column decoders, peripheral timing and I / O circuits to produce an integrated DRAM and logic system, DRAM macro capacitance and corresponding address lines, synchronous pipeline lines Meet function and timing requirements for clock speed, I / O width, etc. The output of DRAM configurator 901 is three databases,
That is, it is supplied to the layout database 906 via the hardware description database 903, the logic and circuit database 904, and the custom layout function 905. Uses modular and parametric techniques to meet timing and functional requirements for the required range of integrated DRAM / logic applications because DRAM macros are not as optimized as discrete DRAMs as a single unique design For this purpose, the circuit and layout of the DRAM macro are defined and created.

【0034】バスおよびインタフェース合成器907は
I/O仕様908から入力を受け、チップ上の各種の論
理およびDRAMマクロを接続する(「貼り合わせ
る」)のに必要なシステム・バスおよび論理に関する論
理の同期を取る。HDLで記載されているようなマクロ
の間の信号接続性情報に加えて、論理の極性、各種のマ
クロの間のタイミング情報および入出力ローディング、
キャパシタンスのローディング、およびバスのRC遅延
タイミング要件が合成器に入力される。合成器はチップ
の機能に関する入力要件にしたがって、バッファ、ドラ
イバおよびラッチを合成する。
The bus and interface synthesizer 907 receives an input from the I / O specification 908, and executes various logics on the chip and logics related to a system bus and logics necessary for connecting ("sticking") the DRAM macros. Synchronize. In addition to signal connectivity information between macros as described in HDL, logic polarity, timing information between various macros and input / output loading,
The loading of the capacitance and the RC delay timing requirements of the bus are input to the synthesizer. The combiner combines the buffers, drivers and latches according to the input requirements for the function of the chip.

【0035】バスおよびインタフェース合成器907の
出力は論理合成器909へ入力され、論理合成器909
はこれに加えて、マイクロプロセッサ・コア仕様91
0、キャッシュ仕様911、ディジタル信号プロセッサ
(DSP)仕様912、システム制御およびバス仕様9
13、グラフィック・サブシステム仕様914、および
アナログ・サブシステム仕様915から入力を受け取
る。図12に示すように、全体的なシステム制御、およ
び各種のサブシステム(グラフィック、ディジタル信号
プロセッサ、アナログなど)に対する制御論理に関し、
これらの対応する論理回路記述が論理合成器909によ
って生成される。論理合成器への入力はHDL記述、ク
ロックおよびタイミング・アナライザ916からのタイ
ミング仕様、制御回路が構築される回路ライブラリおよ
びルール・データベース917からの基礎回路ライブラ
リである。論理合成器909の出力は論理回路(論理ゲ
ート)であり、論理回路データベース904に格納され
る。各種の制御論理マクロの論理回路(ゲート)は次い
で、配置され、経路指定され、レイアウトを形成する。
The output of the bus and interface synthesizer 907 is input to the logic synthesizer 909, and is output to the logic synthesizer 909.
Also adds the microprocessor core specification 91
0, cache specification 911, digital signal processor (DSP) specification 912, system control and bus specification 9
13, receive input from the graphics subsystem specification 914 and the analog subsystem specification 915. As shown in FIG. 12, the overall system control and control logic for various subsystems (graphics, digital signal processor, analog, etc.)
These corresponding logic circuit descriptions are generated by the logic synthesizer 909. The inputs to the logic synthesizer are the HDL description, the clock and timing specifications from the timing analyzer 916, the circuit library where the control circuit is built and the basic circuit library from the rule database 917. The output of the logic synthesizer 909 is a logic circuit (logic gate) and is stored in the logic circuit database 904. The logic circuits (gates) of the various control logic macros are then placed, routed, and form a layout.

【0036】ディジタル信号プロセッサ(DSP)合成
器918はDSPに対するデータ・パス回路を生成し、
これらの回路は論理回路データベース904に格納され
る。データ・パス回路は加算器、乗算器、シフタ、ディ
ジタル・フィルタなどのコンピュテーション要素であ
る。DSPの制御論理は論理合成を使用して合成され
る。データ・パス回路は次いで特殊目的のデータ・パス
・プレースアンドルート・ツール919を使用して配置
され、経路指定される。
A digital signal processor (DSP) synthesizer 918 generates a data path circuit for the DSP,
These circuits are stored in the logic circuit database 904. Data path circuits are computational elements such as adders, multipliers, shifters, and digital filters. The control logic of the DSP is synthesized using logic synthesis. The data path circuit is then located and routed using a special purpose data path place and route tool 919.

【0037】グラフィック・サブシステム仕様914は
主に、制御論理、カスタム論理、プロセッサおよびスタ
ティックRAM(SRAM)からなっている。制御論理
が合成される。カスタム論理はカスタム・レイアウト9
05によってカスタム設計され、必要に応じ、デバイス
幅などのいくつかの回路パラメータがパフォーマンスに
合わせて調整される。レイアウトはコンピュータ支援カ
スタム・レイアウト・ツールによって行われる。グラフ
ィック・プロセッサおよび特殊SRAMはカスタム設計
されるか、あるいはグラフィック・プロセッサ・コアや
成長可能SRAMなどの既存の設計からカスタム化さ
れ、変換される。
The graphics subsystem specification 914 mainly consists of control logic, custom logic, processors and static RAM (SRAM). The control logic is synthesized. Custom logic is custom layout 9
05, and some circuit parameters, such as device width, are adjusted for performance as needed. The layout is performed by a computer-aided custom layout tool. Graphics processors and specialty SRAMs are custom designed or customized and translated from existing designs such as graphic processor cores and growable SRAM.

【0038】マイクロプロセッサ、SRAMキャッシ
ュ、特殊コンピューティング・コアなどのある種の機能
ユニットは、さまざまなテクノロジーで、またHDL、
論理およびレイアウト・フォームですでに存在してお
り、テクノロジー移行機能920で現行設計のテクノロ
ジーに変換され、現行設計にインポートされる。以前の
レイアウトのほとんどの層は現行テクノロジーの対応す
る層にマップできる。さらに、レイアウトの形状は現行
のレイアウト設計ルールを満たすように修正される。直
接マッピング対応のないものには、異なる金属層やバイ
アを使用するなどの特別な変換を施す必要がある。トラ
ンジスタ・デバイス・チャネル長さは現行テクノロジー
にあわせて寸法決定され、配線サイズおよびグリッドは
適宜マップされる。新しいレイアウトにおけるデバイス
の寄生的なタイミング特性は再生成する必要があり、レ
イアウトおよび論理/回路データベースは更新する必要
がある。
Certain functional units, such as microprocessors, SRAM caches, special computing cores, etc., are available in various technologies and in HDL,
It already exists in the logical and layout form, is converted to the technology of the current design by the technology transfer function 920, and is imported into the current design. Most layers of the previous layout can be mapped to corresponding layers of the current technology. Further, the shape of the layout is modified to satisfy the current layout design rules. Those that do not have direct mapping support require special conversions, such as using different metal layers and vias. Transistor device channel lengths are sized for current technology and interconnect sizes and grids are mapped accordingly. The parasitic timing characteristics of the device in the new layout need to be regenerated and the layout and logic / circuit databases need to be updated.

【0039】タイミング・アナライザ916はチップ全
体のすべての信号のタイミングを分析する。チップ入力
からラッチへのもっとも小さい信号、ラッチ間のもっと
も小さい信号、およびラッチ出力からチップ出力へのも
っとも小さい信号を探し出す。また、ラッチへの到着が
早すぎるもっとも速い信号も探し出す。次いで、これら
の信号のタイミングをラッチおよびチップI/Oにおけ
るタイミング要件と比較する。スラックは信号到着時間
と、サイクル時間要件を満たすために必要と考えられる
時間との差である。最悪のスラックはすべてのスキュー
の最小値である。全体的なタイミング要件を満たすの
に、所与の設計がどれくらい離れているかの指標であ
る。タイミング・アナライザ916はデバイス内での遅
延および全体的な信号の遅延を計算するための配線のR
C遅延、信号の立上りおよび立下り時間を含む、ゲート
ないしトランジスタ・レベルにおけるタイミングを分析
する。抵抗、キャパシタンスおよびRC遅延情報はRC
タイミング・データベース921に格納される。これら
は抽出されたレイアウトから取得され、計算される。ク
ロック・アナライザ916はクロック信号に関して同様
な分析を行う。クロック・ワイヤ遅延のおよびスキュー
を含め、すべてのラッチにおけるクロック信号のタイミ
ングを分析する。タイミング・アナライザの結果は設計
データベースに格納され、さまざまな段階で論理および
物理的設計を最適化するための設計パラメータとして使
用される。
The timing analyzer 916 analyzes the timing of all signals throughout the chip. Find the smallest signal from the chip input to the latch, the smallest signal between the latches, and the smallest signal from the latch output to the chip output. It also looks for the fastest signal that arrives too late at the latch. The timing of these signals is then compared with the timing requirements at the latch and chip I / O. Slack is the difference between the signal arrival time and the time deemed necessary to meet the cycle time requirements. The worst slack is the minimum of all skews. It is an indication of how far a given design is to meet the overall timing requirements. Timing analyzer 916 calculates the R in the wiring to calculate the delay in the device and the overall signal delay.
Analyze timing at the gate or transistor level, including C delay, signal rise and fall times. Resistance, capacitance and RC delay information is RC
It is stored in the timing database 921. These are obtained from the extracted layout and calculated. Clock analyzer 916 performs a similar analysis on the clock signal. Analyze the timing of the clock signal in all latches, including clock wire delay and skew. The results of the timing analyzer are stored in a design database and used at various stages as design parameters to optimize the logical and physical design.

【0040】I/O、アナログ・マクロおよび各種のマ
クロにおけるいくつかのカスタム回路は、アナログ素
子、レイアウト・グラウンド・ルール、ノイズ・デカッ
プリング、タイミング、領域などの特別な要件を満たす
ために、コンピュータ支援カスタム・レイアウトを必要
とする。
Some custom circuits in the I / O, analog macros and various macros are designed to meet special requirements such as analog devices, layout ground rules, noise decoupling, timing, and area. Requires support custom layout.

【0041】ゲートおよびトランジスタに基づく回路シ
ミュレーション922、およびHDL記述の挙動シミュ
レーションを行い、相互参照して、論理設計の正しさを
検査する。
The circuit simulation 922 based on the gate and the transistor and the behavior simulation of the HDL description are performed, and the correctness of the logic design is checked by cross-reference.

【0042】テスト・パターン923も論理および挙動
シミュレーションならびにハードウェア・テスト用の入
出力パターンに使用されるHDLデータベース903か
ら生成される。DRAMマクロ用の特定のテスト・パタ
ーンも、DRAMコンフィギュレータ901およびチッ
プ・コンパイル・プロセスの一部として、論理シミュレ
ーションおよびDRAM機能のテスト用に生成される。
DRAMマクロの自動テストをチップ内部の論理回路に
実施して、統合DRAM/論理チップのハードウェア・
テストを容易とすることができる。
The test pattern 923 is also generated from the HDL database 903 used for input / output patterns for logic and behavior simulation and hardware test. Specific test patterns for DRAM macros are also generated for logic simulation and testing of DRAM functionality as part of the DRAM configurator 901 and chip compilation process.
An automatic test of the DRAM macro is performed on the logic circuit inside the chip, and the hardware and the integrated DRAM / logic chip are tested.
Testing can be facilitated.

【0043】設計への入力パターンを必要としないブー
ル等価ツールも論理記述(ゲートおよびトランジスタ)
およびHDLの間の等価度を検査するために使用され
る。
Boolean equivalent tools that do not require input patterns to the design are also logic descriptions (gates and transistors)
And HDL to check for equivalence.

【0044】レイアウトの正しさはレイアウトからの抽
出デバイス・ネット・リストを、論理ゲートおよびトラ
ンジスタ・ネット・リスト記述と比較することによっ
て、チェッキング機能924で検査される。レイアウト
全体も設計ルール違反に関して、設計ルール・チェッカ
(DRC)ツールにより検査される。
The correctness of the layout is checked by a checking function 924 by comparing the device netlist extracted from the layout with the logic gate and transistor netlist description. The entire layout is also checked for design rule violations by a design rule checker (DRC) tool.

【0045】チップ統合ツール925はチップのすべて
の個々の構成要素(各種のマクロ、I/O、データおよ
び電力バスなど)を組み立て、これらをチップ・レベル
の配線およびHDL仕様にしたがって配線する。統合D
RAM/論理チップの場合、DRAMのないチップに比
較して、(1)DRAMおよび論理電源バスに沿ってデ
カップリング・デバイスを追加し、(2)DRAMマク
ロと論理マクロの間のノイズ・デカップリングを分離
し、(3)電源バスを介して何らかの論理マクロ(たと
えば、データ・パス)が発生したスイッチング雑音から
DRAM回路を分離し、かつDRAMと論理の電源を分
割して、これらの電源バスがチップの内部では共用され
ないが、チップ境界の何らかの特定の点を通じてアクセ
スできるようにすることによって、追加のステップが行
われる。
The chip integration tool 925 assembles all the individual components of the chip (various macros, I / O, data and power buses, etc.) and routes them according to chip level wiring and HDL specifications. Integration D
For RAM / logic chips, (1) add decoupling devices along the DRAM and logic power buses and (2) noise decoupling between DRAM macros and logic macros compared to chips without DRAMs (3) separating the DRAM circuit from the switching noise generated by any logic macro (for example, data path) via the power supply bus, and dividing the DRAM and the logic power supply so that these power supply buses Additional steps are performed by not being shared inside the chip but being accessible through some particular point on the chip boundary.

【0046】開示する方法はDRAMマクロおよび論理
マクロ(合成ランダム論理またはカスタム・コアのいず
れか)、ならびに何らかのサポート・マクロからなる設
計の配線記述をチップのレイアウトにコンパイルする一
連のステップを記載する。
The disclosed method describes a series of steps for compiling the wiring description of a design consisting of DRAM macros and logic macros (either synthetic random logic or custom cores) and any supporting macros into a chip layout.

【0047】図13および図14はそれぞれ8つの8−
Mb DRAMマクロ、ゲート・アレイDRAM制御論
理、ビット・ブロック転送(BitBLT)グラフィッ
ク・プロセッサ、シリアル・アクセス・メモリ(SA
M)、ならびに位相ロック・ループ(PLL)およびチ
ップI/Oドライバなどのサポート・マクロで構成され
た他の統合論理/DRAMチップ、詳細にいえば、ユニ
ファイド・メディア・メモリ(UMM)チップのチップ
・レイアウト構造を示す。
FIGS. 13 and 14 show eight 8-bits, respectively.
Mb DRAM macro, gate array DRAM control logic, bit block transfer (BitBLT) graphic processor, serial access memory (SA)
M), and other integrated logic / DRAM chips configured with support macros such as phase locked loops (PLLs) and chip I / O drivers, and more specifically, Unified Media Memory (UMM) chips. 2 shows a chip layout structure.

【0048】各種の論理マクロおよびサポート・マクロ
は統合論理/DRAMチップのさまざまな論理機能を実
現するために、ゲート・アレイ、標準セル、カスタム設
計、アナログ回路などの異なる設計タイプのものでよ
い。図12に示すレイアウト・コンパイラはさまざまな
マクロ仕様を入力として取り入れ、チップのレイアウト
を生成する。
The various logic macros and support macros may be of different design types, such as gate arrays, standard cells, custom designs, analog circuits, etc., to implement various logic functions of the integrated logic / DRAM chip. The layout compiler shown in FIG. 12 takes various macro specifications as input and generates a chip layout.

【0049】本発明はいくつかのDRAMマクロ、DR
AMコントローラ、コンピュテーション・マクロ(たと
えば、演算論理ユニットすなわちALU)、DRAMバ
ッファなどのいくつかの論理マクロ、内部クロック生成
用の位相ロック・ループ、内臓自動テスト回路、チップ
I/Oドライバなどのある種のチップ・サポート・マク
ロからなる統合論理/DRAMチップの物理的構造も記
載する。各種の論理マクロおよびサポート・マクロはゲ
ート・アレイ、標準セル、カスタム設計、アナログ・マ
クロなどのきわめて異なる設計スタイルのものでよい。
The present invention provides several DRAM macros, DR
Includes AM controller, computation macro (eg, arithmetic logic unit or ALU), some logic macros such as DRAM buffer, phase locked loop for internal clock generation, built-in automatic test circuit, chip I / O driver, etc. The physical structure of an integrated logic / DRAM chip consisting of various chip support macros is also described. The various logic and support macros can be of very different design styles, such as gate arrays, standard cells, custom designs, analog macros, and the like.

【0050】チップのハードウェア記述言語(HDL)
はチップ内の各種の機能構成要素の機能、論理およびタ
イミング仕様を、論理構成要素、記憶構成要素(DRA
M、SRAM、キャッシュなど)、ならびにアナログ
(たとえば、PLL(位相ロック・ループ))、マク
ロ、ディジタル・アナログ変換機(DACなど)および
I/O構成要素など他の要素によって定義する。ハード
ウェア記述から、各構成要素はさらに分割され、区分化
され、それぞれ事態の最適化された物理的形態にインプ
リメントされる。階層ハードウェア記述、チップの配
線、マクロ回路の配線から、チップの機能性および正し
さが高レベル挙動、機能シミュレータ、回路シミュレー
タの混合物、ならびに回路内のクリティカル・パスのパ
フォーマンス分析のためのアナログ・シミュレータを使
用して実施される。各マクロおよび全チップのレイアウ
トがレイアウトの正しさに関する対応する配線に対して
検査される。
Chip Hardware Description Language (HDL)
Describes the functions, logic and timing specifications of various functional components in the chip, as well as logical components and storage components (DRA).
M, SRAM, cache, etc.), and other elements such as analog (eg, PLL (Phase Locked Loop)), macros, digital-to-analog converters (such as DAC) and I / O components. From the hardware description, each component is further divided, partitioned and each implemented in an optimized physical form of the event. From hierarchical hardware descriptions, chip wiring, macro circuit wiring, chip functionality and correctness to high-level behavior, a mixture of functional simulators, circuit simulators, and analog and analog circuits for performance analysis of critical paths in circuits. Implemented using a simulator. The layout of each macro and all chips is checked for corresponding wiring for layout correctness.

【0051】DRAM構成要素をさらに分割して、いく
つかのDRAMマクロに再構成して、容量、フォーム・
ファクタ、I/O、バンキング、並列度などの要件を満
たすことができ、これらは通常カスタム度が高く最適化
されたレイアウトの形態でインプリメントされる。固定
および浮動小数点ユニット、信号処理ユニットなどのコ
ンピュテーション・ユニットはビットスライス・ベース
のデータパス・カスタム・マクロの形態でインプリメン
トされる。これらのユニットのパフォーマンスはクリテ
ィカルなものであり、回路およびトランジスタは重要な
タイミング要件を満たすように設計される。各制御論理
ユニットは通常、論理合成プログラムによって、基礎と
なるテクノロジーのセル・ライブラリからのゲートアレ
イまたは標準セルで構成されたランダム論理マクロとし
て合成される。制御ユニットはチップが機能するための
各種の制御信号、アドレス信号、タイミング信号および
その他の信号を他のコンピュテーション・ユニットおよ
び記憶ユニットに供給する。チップの高レベル記述は一
般に、SRAMなどのいくつかのカスタム・マクロ、
(SRAM)キャッシュ、および特殊コア、PLL、D
ACなどのアナログ回路を含んでいる。
The DRAM components are further divided and reconfigured into several DRAM macros to provide capacity, form,
Requirements such as factors, I / O, banking, degree of parallelism, etc. can be met and are usually implemented in the form of a highly customizable and optimized layout. Computational units, such as fixed and floating point units, signal processing units, etc., are implemented in the form of bit slice based data path custom macros. The performance of these units is critical, and the circuits and transistors are designed to meet important timing requirements. Each control logic unit is typically synthesized by a logic synthesis program as a random logic macro composed of gate arrays or standard cells from the underlying technology's cell library. The control unit supplies various control, address, timing and other signals for the functioning of the chip to other computation and storage units. The high-level description of the chip is generally some custom macros, such as SRAM,
(SRAM) cache and special core, PLL, D
It contains analog circuits such as AC.

【0052】統合論理/DRAMコンパイラはいくつか
のプログラミング・モジュールおよびステップからなっ
ている。
The integrated logic / DRAM compiler consists of several programming modules and steps.

【0053】1.機能的区分化と、DRAMマクロのカ
スタム化および構成−チップのハードウェア記述(すな
わち、HDL)から、各種の機能ユニットが物理的に実
施可能なブロックおよびブロック間の信号相互接続に区
分化される。このステップは周辺制御回路、列および行
アドレス・デコーダおよびドライバ、ならびにI/O回
路を特定の設計に合わせてカスタム化し、構成する。図
9および図10に示すように、異なる数のDRAMサブ
マクロ(すなわち、1MbのDRAMサブマクロ)を組
み合わせ、DRAMマクロのアドレス・デコーダ/ドラ
イバを再構成することによって、異なるサイズのDRA
Mマクロを特定のアプリケーションに合わせて得ること
ができる。図9および図10に示すように、DRAMマ
クロの列構造にI/Oインタフェースおよびドライバ回
路をカスタム化することにより、さまざまなI/O幅、
たとえばX4、X8、X16、X64を特定の用途に合
わせて得ることができる。論理マクロとDRAMマクロ
の間のドライバ・インタフェースは、RC遅延ならびに
DRAMアドレスおよび制御信号、特にRAS、CA
S、CEに対するスリューを最小限とするように設計さ
れる。図9および図10に示すように、DRAMマクロ
の周辺制御回路をカスタム化することにより、非同期や
動機/パイプラインなどのさまざまな動作モードを特定
の用途に合わせて選択できる。
1. Functional Partitioning and DRAM Macro Customization and Configuration-From the hardware description of the chip (i.e., HDL), the various functional units are partitioned into physically executable blocks and signal interconnects between blocks. . This step customizes and configures the peripheral control circuits, column and row address decoders and drivers, and I / O circuits for a particular design. As shown in FIGS. 9 and 10, by combining different numbers of DRAM sub-macros (ie, 1 Mb DRAM sub-macros) and reconfiguring the address decoder / driver of the DRAM macro, different sized DRA
M macros can be obtained for specific applications. As shown in FIGS. 9 and 10, by customizing the I / O interface and the driver circuit to the column structure of the DRAM macro, various I / O widths,
For example, X4, X8, X16, X64 can be obtained for a specific application. The driver interface between the logic macro and the DRAM macro includes RC delay and DRAM address and control signals, especially RAS, CA
It is designed to minimize the slew on S, CE. As shown in FIGS. 9 and 10, by customizing the peripheral control circuit of the DRAM macro, various operation modes such as asynchronous and motivation / pipeline can be selected according to a specific application.

【0054】2.マクロの配置およびフロア・プランの
生成−チップのハードウェア記述(すなわち、HDL)
から、各種の機能ユニットが物理的に実施可能なブロッ
クおよびブロック間の信号相互接続に区分化される。機
能ブロックの信号相互接続情報からなるこの配線に基づ
いて、DRAMマクロ、論理マクロ、および各種のチッ
プ・サポート・マクロがチップの異なる場所に配置され
る。配置の目的はマクロのサイズおよびフォーム・ファ
クタ、マクロ内の入出力(I/O)ピン位置、ならびに
チップI/Oドライバ、論理およびDRAMに対する電
源の区分化および雑音分離、容量およびI/O幅にした
がったDRAMマクロの分布、オンチップ・グローバル
・バスおよびクロックのレイアウトなどの物理的制約お
よび要件を条件として、チップ・レベルの相互接続のい
くつかの機能を最小限とすることである。チップ全体は
各チップは位置に合わせて相互接続され、マクロ間の配
線スペースは全体的なチップ面積を最小限とするように
調節される。I/Oの位置、マクロの寸法、チップ内の
配線スペースの寸法はパラメータ化されて、マクロは位
置ステップおよびチップ・レベル相互接続ステップの対
話式実行により、もっとも小さい面積で制約条件を満た
すチップ・フロア・プランを生成できるようにする。
2. Macro Placement and Floor Plan Generation-Chip Hardware Description (ie HDL)
Thus, the various functional units are partitioned into physically executable blocks and signal interconnects between the blocks. DRAM macros, logic macros, and various chip support macros are located at different locations on the chip based on this wiring consisting of the signal interconnection information of the functional blocks. Placement objectives are macro size and form factor, input / output (I / O) pin locations within the macro, and power supply partitioning and noise isolation for chip I / O drivers, logic and DRAM, capacitance and I / O width. And minimizing some features of chip-level interconnects, subject to physical constraints and requirements such as DRAM macro distribution, on-chip global bus and clock layout in accordance with US Pat. The entire chip is interconnected according to the location of each chip, and the wiring space between macros is adjusted to minimize the overall chip area. The I / O locations, macro dimensions, and interconnect space dimensions within the chip are parameterized, and the macro allows the interactive execution of location steps and chip-level interconnect steps to minimize chip area and chip constraints. Enable generation of floor plans.

【0055】3.チップ・イメージの生成−このステッ
プはDRAMマクロ、論理マクロおよびサポート・マク
ロに対する全体的な物理的レイアウト構造を作成する。
論理マクロはゲート・アレイおよび標準セルで構成され
るか、あるいはカスタム・レイアウトによって構成され
るかする。DRAMマクロはそれ自体のカスタム・レイ
アウト構造を有する。これらの論理およびDRAMマク
ロの各々は論理およびトランジスタ・デバイスの一意の
配置構造、電力分配構造(たとえば、VDD、GN
D)、ならびに異なるレベルの金属に対する相互接続要
件を有している。
3. Generate Chip Image-This step creates the overall physical layout structure for DRAM macros, logic macros and support macros.
Logic macros consist of a gate array and standard cells or a custom layout. DRAM macros have their own custom layout structure. Each of these logic and DRAM macros has a unique layout of logic and transistor devices, power distribution structures (eg, VDD, GN
D), as well as interconnect requirements for different levels of metal.

【0056】4.電力分配の生成−全体的なチップ電力
分配構造およびグリッドが生成される。論理マクロ内部
の電力分配グリッドも生成される。DRAMマクロ、論
理マクロ、ならびにPLLなどのアナログ・マクロはこ
れらの個々の電力分配ネットワークが独立した電源を使
用してオフチップで供給できるような態様で、レイアウ
トされる。この構成はDRAM、論理およびアナログ・
マクロの間のノイズ・カップリングを最小とし、論理お
よびDRAM構成要素の独立したテストを可能とする。
4. Generation of power distribution-The overall chip power distribution structure and grid is generated. A power distribution grid inside the logic macro is also generated. Analog macros, such as DRAM macros, logic macros, and PLLs, are laid out in such a way that their individual power distribution networks can be supplied off-chip using independent power supplies. This configuration includes DRAM, logic and analog
It minimizes noise coupling between macros and allows independent testing of logic and DRAM components.

【0057】5.チップ・レベルの相互接続の生成−す
べてのDRAM、論理、チップ・サポートマクロは、チ
ップ・レベルのネットリスト・アプリケーションにした
がって生成される。DRAMおよび論理マクロを接続す
るオンチップで高帯域幅のデータ、アドレスおよび制御
バスは、RC遅延、対応する等価信号ポイントの間のス
キューを最小限とする態様で配線されるが、これは通常
これらのワイヤが長く、チップを横切っているからであ
る。これは(1)公称金属幅よりも広い重要な信号ネッ
トを配線し、(2)クロックおよび制御信号源から各種
の機能ユニットの各種の制御ポイント(ピン)へのワイ
ヤ長さおよびトポロジーを釣り合わせ、(3)釣り合っ
たドライバをクロックおよび制御信号の配線経路に沿っ
て追加することによって行われる。
5. Chip-level interconnect generation-All DRAM, logic, and chip support macros are generated according to the chip-level netlist application. On-chip, high bandwidth data, address and control buses connecting DRAM and logic macros are routed in a manner that minimizes RC delay and skew between corresponding equivalent signal points, which are usually Is long and traverses the chip. This involves (1) routing critical signal nets that are wider than the nominal metal width, and (2) balancing wire lengths and topologies from the clock and control signal sources to the various control points (pins) of the various functional units. (3) by adding balanced drivers along the clock and control signal wiring paths.

【0058】6.ゲート・アレイ、標準セル、カスタム
設計を使用した論理マクロの生成−
6. Generating logic macros using gate arrays, standard cells, and custom designs

【0059】(6a)このステップは各種の論理マクロ
の論理合成(ハードウェア記述言語から論理ゲートへ
の)を行い、その後、テクノロジーによって決定される
ライブラリ・ブックまたはカスタム回路へのマッピング
を行う。
(6a) This step performs logic synthesis of various logic macros (from hardware description language to logic gates), and then performs mapping to library books or custom circuits determined by technology.

【0060】(6b)次いで、ゲート・アレイまたは標
準セルまたはカスタム設計の基礎的なイメージ要件にし
たがってブックまたはトランジスタの配置および配線を
行う。
(6b) The book or transistor is then placed and wired according to the basic image requirements of the gate array or standard cell or custom design.

【0061】(6c)クロック・ツリーおよびテスト走
査チェインを配線する。このステップで生成されるレイ
アウトは高レベル(チップ・レベル)設計によって規定
されているタイミング制約要件、ピン位置要件および金
属利用要件を満たす必要がある。
(6c) Wire the clock tree and test scan chain. The layout generated in this step must meet the timing constraints, pin location requirements, and metal utilization requirements specified by the high-level (chip-level) design.

【0062】(6d)レイアウト設計ルール検査、タイ
ミング検証、論理シミュレーション、配線図に合わせた
レイアウトの検査...もこのステップで行って、設計
の正しさを向上させる必要がある。
(6d) Layout design rule inspection, timing verification, logic simulation, inspection of layout according to wiring diagram. . . Need to be performed in this step to improve the correctness of the design.

【0063】マクロ・レイアウトに課されるタイミン
グ、物理的寸法などの要件を満たすために、上記のステ
ップを繰り返すことが必要となることもある。
The above steps may need to be repeated to meet timing, physical size, and other requirements imposed on the macro layout.

【0064】7.ピンの位置、ピンのプロパティ、マク
ロのピン間タイミング−この情報は後続のチップ組立て
ステップのためにレイアウトから抽出される。図16は
レイアウト合成、配置および配線後に得られる論理マク
ロのレイアウトを示す。
7. Pin locations, pin properties, macro pin-to-pin timing-this information is extracted from the layout for subsequent chip assembly steps. FIG. 16 shows a layout of a logic macro obtained after layout synthesis, arrangement and wiring.

【0065】8.チップ・レイアウトの生成−8. Generation of chip layout-

【0066】(8a)マクロのピンおよびタイミング情
報に基づくすべての個々のマクロ(DRAM、論理、サ
ポート)のレイアウト後、すべてのマクロ(DRAM、
論理、サポート)の間の相互接続が配線される。クロッ
クの相互接続およびテスト走査チェインが配線される。
(8a) After layout of all individual macros (DRAM, logic, support) based on macro pin and timing information, all macros (DRAM,
Logic, support) are wired. Clock interconnects and test scan chains are routed.

【0067】(8b)DRAMデカップリング素子が必
要に応じ、チップの各種の箇所に追加される。デカップ
リング素子は論理の電源バスおよびDRAMの電源バス
に別々に追加される。
(8b) DRAM decoupling elements are added as needed to various parts of the chip. Decoupling elements are separately added to the logic power bus and the DRAM power bus.

【0068】(8c)チップ全体を設計ルールの正しさ
およびタイミングについて検査する。
(8c) The entire chip is inspected for the correctness and timing of the design rules.

【0069】9.反復ステップ−チップ設計要件のある
ものが満たされなかった場合には、もとに戻って、マク
ロのいくつかのレイアウトをやり直し、マクロ・レイア
ウトおよびチップ・レイアウト生成ステップを繰り返す
ことが必要となる。
9. Iterative Steps-If some of the chip design requirements were not met, it would be necessary to go back and redo some macro layouts and repeat the macro layout and chip layout generation steps.

【0070】統合論理/DRAMコンパイラの全体的な
流れ図を、図17に示す。DRAMコンパイラ/コンフ
ィギュレータ(ブロック141)はDRAMメモリ構成
要素を構成し、いくつかのDRAMマクロを生成する。
情報が機能ブロック140においてチップ・レベル配線
図から抜き出される。DRAM、論理ブロック、I/O
およびその他の構造の配置が機能ブロック142で決定
される。DRAM、ゲート・アレイ、およびカスタム回
路に対するチップ・イメージが機能ブロック143で作
成される。次に、電力分配が機能ブロック144で決定
される。このステップにおいて、全体的なチップ電力分
配構造がDRAMマクロおよび論理マクロに対して、チ
ップ内部での別々な論理およびDRAM電力分配ネット
ワーク(デカップリング・コンデンサ構造を含む)とし
て生成される。電力分配ネットワークを分離することに
より、電源バスによるDRAMマクロと論理マクロの間
のノイズ・カップリングが最小限となる。論理構成要素
とDRAM構成要素の間で最大限の雑音不感性を達成す
ることが、統合論理/DRAMチップの適正な機能の鍵
となる。機能ブロック145において、チップ・レベル
の配線が決定される。このステップにおいて、オンチッ
プ論理インタフェース回路と、論理構成要素とDRAM
構成要素の間のオンチップ金属相互接続とが、最大限の
システム帯域幅とシステム・クロック周波数を達成する
ように最適化される。ステップ142ないし145はチ
ップのトップダウン・フロア・プランニングを構成し、
すべてのチップの配線、配置およびチップ・サイズが許
容基準を満たすまで、繰り返される。
FIG. 17 shows an overall flow chart of the integrated logic / DRAM compiler. A DRAM compiler / configurator (block 141) configures the DRAM memory components and generates several DRAM macros.
Information is extracted from the chip-level schematic in function block 140. DRAM, logic block, I / O
And other structural arrangements are determined in function block 142. Chip images for the DRAM, gate array, and custom circuits are created in function block 143. Next, power distribution is determined at function block 144. In this step, the overall chip power distribution structure is created for DRAM macros and logic macros as separate logic and DRAM power distribution networks (including decoupling capacitor structures) inside the chip. Isolating the power distribution network minimizes noise coupling between the DRAM macro and the logic macro via the power bus. Achieving maximum noise immunity between the logic and DRAM components is key to the proper functioning of the integrated logic / DRAM chip. In function block 145, chip-level wiring is determined. In this step, the on-chip logic interface circuit, the logic component and the DRAM
On-chip metal interconnects between components are optimized to achieve maximum system bandwidth and system clock frequency. Steps 142 through 145 constitute top-down floor planning of the chip;
The process is repeated until the wiring, placement, and chip size of all the chips meet the acceptance criteria.

【0071】マクロのアサーション、たとえばタイミン
グ、ピンの配置、金属皮膜などが機能ブロック146で
作成される。マクロ合成、レイアウト、配置および経路
指定ツール機能、DRCおよびLVS検査が機能ブロッ
ク147で行われる。次いで、機能ブロック148にお
いて、マクロ・レイアウト、タイミングおよびピンの抽
出が行われる。ステップ146ないし148は、これも
繰り返されるマクロの生成を構成する。
Macro assertions, such as timing, pin locations, metal films, etc., are created in function block 146. Macro synthesis, layout, placement and routing tool functions, DRC and LVS inspection are performed in function block 147. Next, at function block 148, macro layout, timing and pin extraction are performed. Steps 146 to 148 constitute the generation of a macro which is also repeated.

【0072】チップの配線、クロック、走査およびDR
AMデカップリングが機能ブロック149で行われる。
チップの検査、DRCおよびLVSの検査、タイミング
などは機能ブロック150で行われる。これら2つのス
テップは本方法のチップ組立て部分を構成するものであ
り、必要に応じ、ループは機能ブロック146へ戻っ
て、受け入れられるチップ・アセンブリが生成されるま
で、本方法のマクロ生成段階を繰り返す。最後に、チッ
プのレイアウトが機能ブロック151で出力される。
Chip Wiring, Clock, Scan and DR
AM decoupling is performed at function block 149.
Inspection of the chip, inspection of the DRC and LVS, timing, and the like are performed in the function block 150. These two steps constitute the chip assembly part of the method, and if necessary, the loop returns to function block 146 to repeat the macro generation steps of the method until an acceptable chip assembly is generated. . Finally, the layout of the chip is output in the function block 151.

【0073】以下はチップ上でのシステムの実施例であ
る。これはマルチメディア・アプリケーション用のシリ
コン・チップ上の統合メモリ・システム、詳細にいえ
ば、ユニファイド・メディア・メモリ(UMM)チップ
である。入力としてのUMMハードウェア記述およびチ
ップ・レベルのブロック図/配線図(図15)から、入
力は一連のコンピュータ支援設計(CAD)ステップに
より、完全なチップ・レイアウトに変換される。
The following is an embodiment of the system on a chip. This is an integrated memory system on a silicon chip for multimedia applications, specifically a Unified Media Memory (UMM) chip. From the UMM hardware description as input and the chip-level block diagram / wiring diagram (FIG. 15), the input is converted to a complete chip layout by a series of computer-aided design (CAD) steps.

【0074】図13および図14はグローバル構造のイ
ンプリメンテーションを示し、4層の金属とデバイス・
パフォーマンス拡張機能を備えた0.25ミクロンCM
OSテクノロジーで設計された、ユニファイド・メディ
ア・メモリ(UMM)アプリケーション用の統合論理/
DRAMチップのレイアウトを示す。UMMチップは8
つの8MbのシンクロナスDRAM(SDRAM)マク
ロに配列された64MbのSDRAMからなっている。
SDRAMはマクロあたり64のI/O幅で200MH
zで動作するように、シンクロナス・シングルバンクR
AS制御と、1/2/4/8/フル・ページ・バースト
・モードをサポートしている。8つのSDRAMマクロ
はインタリーブ動作のために2つのグローバル・メモリ
・バンクに配列され、256ビットという幅の広いI/
Oを供給する。UMM統合論理/DRAMチップの論理
機能は、SDRAMとの間でグラフィック・データを取
り扱うための256ビット・グラフィック・プロセッサ
(ビット・ブロック転送すなわちBitBLT)と、チ
ップ外へグラフィック・データをエキスポートするため
のシリアル・アクセス・メモリ(SAM)と、チップの
すべてのマクロの全体的な動作のための制御/タイミン
グ信号を生成するゲートアレイ制御ユニットと、オンチ
ップ256ビット・データ・バスへのオフチップ64ビ
ット・データの高速インポート/エキスポート用の4つ
のマルチプレクサ/バッファと、外部クロックと同期し
たオンチップ・クロック信号を生成するための位相ロッ
ク・ループ(PLL)からなっている。マクロは133
MHz(最高200MHz)で動作する高帯域幅オンチ
ップ256ビット・データ・バス、SDRAMアドレス
・バス、およびRAS、CAS、WE、SDRAMイネ
ーブルなどの各種の制御バスを通して通信を行う。外部
64ビット・データ・ピンに加えて、チップは32ビッ
ト・メモリ・アドレス・ピン、グラフィック機能用の3
2ビット・シリアル・データ出力ピン、各種のモード制
御ピンおよびテスト・ピンを有している。PowerP
C(TM)マイクロプロセッサ・バスとのインタフェー
スを有している。チップを240ピン・パッケージに実
装することができる。ゲート・アレイ・ランダム論理マ
クロの基礎構造は図16にも示されている。DRAMマ
クロは基本メモリ機能を実行し、DRAMマクロととも
に論理マクロ機能は全体的なアーキテクチャおよび論理
設計によって決定される特別な機能を実行する。
FIGS. 13 and 14 show an implementation of the global structure, showing four layers of metal and device
0.25 micron CM with performance enhancements
Integrated logic for Unified Media Memory (UMM) applications designed with OS technology
2 shows a layout of a DRAM chip. 8 UMM chips
It consists of 64 Mb SDRAM arranged in two 8 Mb synchronous DRAM (SDRAM) macros.
SDRAM is 200 MH with 64 I / O width per macro
z, to operate at synchronous single bank R
It supports AS control and 1/2/4/8 / full page burst mode. The eight SDRAM macros are arranged in two global memory banks for interleaving operation and have a wide I / O of 256 bits.
Supply O. The logic functions of the UMM integrated logic / DRAM chip are to provide a 256-bit graphics processor (Bit Block Transfer or BitBLT) for handling graphic data to and from the SDRAM and to export graphic data off the chip. Serial access memory (SAM), a gate array control unit that generates control / timing signals for the overall operation of all macros of the chip, and an off-chip 64 to an on-chip 256-bit data bus It consists of four multiplexers / buffers for high-speed import / export of bit data and a phase locked loop (PLL) for generating an on-chip clock signal synchronized with an external clock. The macro is 133
It communicates through a high bandwidth on-chip 256-bit data bus operating at MHz (up to 200 MHz), an SDRAM address bus, and various control buses such as RAS, CAS, WE, and SDRAM enable. In addition to the external 64-bit data pins, the chip has 32-bit memory address pins, three for graphics functions.
It has a 2-bit serial data output pin, various mode control pins, and a test pin. PowerP
It has an interface to the C (TM) microprocessor bus. The chip can be mounted in a 240 pin package. The basic structure of the gate array random logic macro is also shown in FIG. DRAM macros perform basic memory functions, and together with DRAM macros, logic macro functions perform special functions determined by the overall architecture and logic design.

【0075】図15は電力バス、デカップリング・コン
デンサ・アレイ、チップI/O、DRAMおよび論理マ
クロ配置、チップ・レベル配線を含むUMMチップのフ
ロア・プランを示す。このチップ構造は8つの8MB
DRAMマクロ、DRAM制御論理マクロ(ゲート・ア
レイ)、DRAMデータ・コンピュテーション用のBi
tBLTカスタム・プロセッサ、シリアル・アドレス・
メモリ(SAM)、マルチプレクサ、オンチップ・バス
とオフチップ・バスの間の通信のためのバッファ、およ
びチップ・サポート回路、PLL、I/Oドライバおよ
びパッドを含んでいる。
FIG. 15 shows the floor plan of a UMM chip including the power bus, decoupling capacitor array, chip I / O, DRAM and logic macro layout, and chip level wiring. This chip structure has eight 8MB
DRAM macro, DRAM control logic macro (gate array), Bi for DRAM data computation
tBLT custom processor, serial address
It includes memory (SAM), multiplexers, buffers for communication between the on-chip and off-chip buses, and chip support circuits, PLLs, I / O drivers and pads.

【0076】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
In summary, the following items are disclosed regarding the configuration of the present invention.

【0077】(1)単一の集積回路チップ上の、マイク
ロプロセッサ・コア、ならびにブロックに編成されたシ
ステム論理およびダイナミック・ランダム・アクセス・
メモリ(DRAM)を含むシステムのレイアウトをコン
パイルするコンピュータに実装された方法において、ハ
ードウェア記述データベースから各種の機能ユニットに
関する情報を抽出し、チップのマクロ配置およびフロア
・プランを生成するステップと、チップのDRAM構成
要素を構成し、DRAMマクロにコンパイルするステッ
プと、DRAMマクロおよび論理マクロの全体的な物理
的レイアウト構造を生成するステップと、全体的なチッ
プ電力分配構造と、論理マクロ内部の電力分配グリッド
を含むグリッドとを生成するステップと、データベース
に格納されているチップ・レベル・ネット・リスト仕様
にしたがってすべてのDRAM、論理およびチップ・サ
ポート・マクロのチップ・レベルの相互接続を生成する
ステップと、生成された全体的な物理的レイアウト構
造、生成された全体的なチップ電力分配構造および生成
されたチップ・レベルの相互接続に基づいてチップのグ
ローバル構造を実施するステップと、論理合成を使用し
て論理マクロを生成した後、生成されたチップ・イメー
ジにしたがってトランジスタのブックを配置し、配線す
るステップと、クロックおよびタイミングの検証、設計
ルールの検査、および論理シミュレーションを行って、
設計の正しさを検査するステップと、すべてのマクロの
間の相互接続を配線し、デカップリング阻止を追加する
ことによってチップ・レイアウトを生成し、かつ設計ル
ールの正しさおよびタイミングを再度検査するステップ
と、最終的なチップのレイアウトを製造処理のために出
力するステップとを備えている方法。 (2)構成およびコンパイルステップが、特定の用途に
必要とされる異なる量のメモリ容量、バンキングおよび
入出力(I/O)帯域幅、さまざまなアドレス指定配線
図、さまざまな動作モードおよび時間要件を備えた埋込
み成長可能DRAMマクロの物理的構造、回路およびレ
イアウトを作成するステップを含んでいる、上記(1)
に記載のコンピュータに実装された方法。 (3)DRAMマクロおよび論理マクロ用の全体的なチ
ップ電力分配構造を生成するステップが、チップ内部で
論理およびDRAM電力分配ネットワークを分離し、こ
れにより電源バスによるDRAMマクロと論理マクロの
間のノイズ・カップリングを最小限とするステップを含
んでいる、上記(1)に記載のコンピュータに実装され
た方法。 (4)オンチップ論理インタフェース回路、および論理
構成要素とDRAM構成要素の間のオンチップ金属相互
接続を最適化して、最大限のシステム帯域幅およびシス
テム・クロック周波数を達成するステップを更に含んで
いる、上記(1)に記載のコンピュータに実装された方
法。 (5)マイクロプロセッサ・コア、ならびにブロックに
編成されたシステム論理およびダイナミック・ランダム
・アクセス・メモリ(DRAM)を含むシステムオンチ
ップ設計のレイアウトをコンパイルするコンピュータ・
ベースの設計システムにおいて、システムオンチップ設
計に合わせたDRAMメモリ・サブシステム、マイクロ
プロセッサ・コア、キャッシュ、システム制御バス、お
よび入出力(I/O)に対するシステム仕様源と、DR
AMメモリ・サブシステムに関する仕様を受け、DRA
Mマクロ用の電力分配ネットワークを含むDRAMマク
ロの全体的な物理的レイアウト構造を生成するDRAM
コンフィギュレータと、システム・バスおよびI/Oに
関する仕様を受け、チップ上の各種の論理およびDRA
Mマクロを接続するのに必要な論理を合成するバスおよ
びインタフェース合成器と、バスおよびインタフェース
合成器の出力と、マイクロプロセッサのコアおよびキャ
ッシュに関する仕様を受け、DRAMマクロ用の電力分
配ネットワークとは別の論理マクロ用の電力分配ネット
ワークを含む生成されたチップ・イメージにしたがって
論理マクロと、トランジスタのブックの配線を生成し
て、DRAMマクロと論理マクロの間のノイズ・カップ
リングを最小限とする論理合成器と、DRAMコンフィ
ギュレータ、バスおよびインタフェース合成器および論
理合成器の出力を受け、かつすべてのマクロの間の相互
接続を配線し、デカップリング素子を追加することによ
ってチップ・レイアウトを生成するチップ統合機能とを
備えており、前記レイアウト抽出機能がクロックおよび
タイミング検証、設計ルール検査および論理シミュレー
ションを行って、設計の正しさを検査するコンピュータ
・ベースの設計システム。 (6)DRAMコンフィギュレータが、特定の用途に必
要とされる異なる量のメモリ容量、バンキングおよび入
出力(I/O)帯域幅、さまざまなアドレス指定配線
図、さまざまな動作モードおよび時間要件を備えた埋込
み成長可能DRAMマクロの物理的構造、回路およびレ
イアウトを作成する、上記(5)に記載のコンピュータ
・ベースの設計システム。 (7)チップ統合機能がオンチップ論理インタフェース
回路、および論理構成要素とDRAM構成要素の間のオ
ンチップ金属相互接続を最適化して、最大限のシステム
帯域幅およびシステム・クロック周波数を達成する、上
記(5)に記載のコンピュータ・ベースの設計システ
ム。 (8)論理合成器がアクセスする回路ライブラリのデー
タベースをさらに含んでいる、上記(5)に記載のコン
ピュータ・ベースの設計システム。 (9)システム仕様源がアナログ・サブシステム仕様を
含んでおり、前記設計システムがアナログ・サブシステ
ム仕様と、DRAMコンフィギュレータ、論理合成器か
らの出力を受け、チップ統合機能に出力を与えて、アナ
ログ・サブシステムをチップ上に組み込むカスタム・レ
イアウト機能をさらに含んでいる、上記(8)に記載の
コンピュータ・ベースの設計システム。 (10)システム仕様源がディジタル信号プロセッサ
(DSP)仕様を含んでおり、カスタム・レイアウト仕
様がさらにDSP仕様を受けて、DSPをチップ上に組
み込む、上記(8)に記載のコンピュータ・ベースの設
計システム。 (11)バスおよびインタフェース合成器および論理合
成器に入力を与えるクロックおよびタイミング・アナラ
イザをさらに含んでいる、上記(5)に記載のコンピュ
ータ・ベースの設計システム。
(1) Microprocessor core and system logic and dynamic random access memory organized into blocks on a single integrated circuit chip
A computer-implemented method for compiling a layout of a system including a memory (DRAM), extracting information about various functional units from a hardware description database and generating a macro layout and a floor plan of the chip; Configuring the DRAM components and compiling them into DRAM macros, generating an overall physical layout structure of the DRAM macros and logic macros, an overall chip power distribution structure, and power distribution inside the logic macros Generating a grid, including a grid; and generating chip-level interconnections of all DRAM, logic and chip support macros according to a chip-level netlist specification stored in a database. , Generate Implementing a global structure of the chip based on the resulting overall physical layout structure, the generated overall chip power distribution structure and the generated chip-level interconnect, and logic using logic synthesis. After generating the macro, place and route the book of transistors according to the generated chip image, perform clock and timing verification, design rule inspection, and logic simulation,
Checking design correctness, routing interconnects between all macros, generating chip layout by adding decoupling prevention, and rechecking design rules for correctness and timing And outputting the final chip layout for manufacturing processing. (2) The configuration and compilation steps require different amounts of memory capacity, banking and input / output (I / O) bandwidth, different addressing schematics, different modes of operation and time requirements for a particular application. (1) including the step of creating a physical structure, a circuit, and a layout of the embedded growable DRAM macro provided with
A computer implemented method as described in. (3) generating the overall chip power distribution structure for DRAM macros and logic macros separates the logic and DRAM power distribution networks within the chip, thereby providing noise between the DRAM macros and the logic macros by the power bus; • The computer implemented method of (1) above, including the step of minimizing coupling. (4) optimizing on-chip logic interface circuits and on-chip metal interconnects between the logic components and the DRAM components to achieve maximum system bandwidth and system clock frequency. , A computer-implemented method according to (1). (5) A computer for compiling a layout of a system-on-a-chip design including a microprocessor core, and system logic and dynamic random access memory (DRAM) organized in blocks.
A system specification source for a DRAM memory subsystem, microprocessor core, cache, system control bus, and input / output (I / O) tailored to a system-on-a-chip design, and DR
In response to the specification for AM memory subsystem, DRA
DRAM for generating overall physical layout structure of DRAM macro including power distribution network for M macro
In accordance with the configurator and specifications related to the system bus and I / O, various logic and DRA on the chip
A bus and interface synthesizer for synthesizing the logic necessary to connect the M macro, the output of the bus and interface synthesizer, and the specifications for the microprocessor core and cache, are separate from the power distribution network for the DRAM macro. Logic that generates a logic macro and transistor book wiring according to the generated chip image including a power distribution network for the logic macro of the logic macro to minimize noise coupling between the DRAM macro and the logic macro Chip integration that receives the output of the synthesizer and the DRAM configurator, bus and interface synthesizers and logic synthesizers, and routes the interconnections between all macros and creates a chip layout by adding decoupling elements Function. Out extraction function clock and timing verification, perform design rule checking and logic simulation, computer-based design system for checking the correctness of the design. (6) DRAM configurator with different amounts of memory capacity, banking and input / output (I / O) bandwidth, different addressing schematics, different modes of operation and time requirements for specific applications The computer-based design system according to (5), wherein the physical structure, circuit and layout of the buried DRAM macro are created. (7) The chip integration function optimizes on-chip logic interface circuits and on-chip metal interconnects between logic components and DRAM components to achieve maximum system bandwidth and system clock frequency. The computer-based design system according to (5). (8) The computer-based design system according to (5), further including a database of a circuit library accessed by the logic synthesizer. (9) The system specification source includes an analog subsystem specification, and the design system receives the analog subsystem specification, the output from the DRAM configurator, and the logic synthesizer, and provides an output to the chip integration function. • The computer-based design system of (8) above, further comprising a custom layout function that incorporates the subsystem on a chip. (10) The computer-based design according to (8), wherein the system specification source includes a digital signal processor (DSP) specification, and the custom layout specification further receives the DSP specification and incorporates the DSP on a chip. system. (11) The computer-based design system according to (5), further including a clock and timing analyzer that provides an input to the bus and interface synthesizer and the logic synthesizer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来のマルチチップ・プロセッサ・メモリ・シ
ステムのブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram of a conventional multichip processor memory system.

【図2】プロセッサとメモリの間にオンチップ相互接続
を有するシングル・プロセッサ・メモリ・チップのブロ
ック図である。
FIG. 2 is a block diagram of a single processor memory chip having an on-chip interconnect between a processor and a memory.

【図3】論理チップとDRAMチップが外部バスに接続
されている従来のシステムのブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram of a conventional system in which a logic chip and a DRAM chip are connected to an external bus.

【図4】シングル・チップ上の組合せ論理DRAMシス
テムのブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram of a combinational logic DRAM system on a single chip.

【図5】シングル・チップ上の組合せ論理DRAMシス
テムのブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram of a combinational logic DRAM system on a single chip.

【図6】シングル・チップ上の組合せ論理DRAMシス
テムのブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram of a combinational logic DRAM system on a single chip.

【図7】シングル・チップ上の組合せ論理DRAMシス
テムのブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram of a combinational logic DRAM system on a single chip.

【図8】外部バスに接続された論理チップおよびDRA
Mチップの従来のシステムを示し、かつこのシステムの
帯域幅問題を説明するブロック図である。
FIG. 8 shows a logic chip and a DRA connected to an external bus.
1 is a block diagram showing a conventional system of M chips and explaining the bandwidth problem of this system.

【図9】DRAMがカスタム化されたシングル・チップ
上の論理およびDRAMのブロック図である。
FIG. 9 is a block diagram of logic and DRAM on a single chip with customized DRAM.

【図10】nメガビットのアレイとmビットのI/Oパ
スを備えている2次元に成長可能なDRAMマクロを説
明するブロック図である。
FIG. 10 is a block diagram illustrating a two-dimensionally growable DRAM macro having an n-megabit array and an m-bit I / O path.

【図11】DRAMマクロおよびゲート・アレイ論理、
カスタム・マクロ、位相ロック・ループ(PLL)、な
らびにチップI/Oドライバを組み込んだ統合論理/D
RAMチップのチップ・レイアウト構造を示す図であ
る。
FIG. 11 shows a DRAM macro and gate array logic;
Integrated logic / D incorporating custom macro, phase locked loop (PLL), and chip I / O driver
FIG. 2 is a diagram illustrating a chip layout structure of a RAM chip.

【図12】本発明によるシステムオンチップ設計システ
ムおよびコンパイルのブロック図である。
FIG. 12 is a block diagram of a system-on-chip design system and compilation according to the present invention.

【図13】本発明を使用して実施されたユニファイド・
メディア・メモリ(UMM)のブロック図である。
FIG. 13 illustrates a unified implementation implemented using the present invention.
FIG. 2 is a block diagram of a media memory (UMM).

【図14】UMMチップのフロア・プランを示す図であ
る。
FIG. 14 is a diagram showing a floor plan of a UMM chip.

【図15】UMM回路の略図である。FIG. 15 is a schematic diagram of a UMM circuit.

【図16】UMMチップ・レイアウトの顕微鏡写真であ
る。
FIG. 16 is a micrograph of a UMM chip layout.

【図17】統合論理/DRAMチップのレイアウト・コ
ンパイルの流れ図である。
FIG. 17 is a flowchart of layout compilation of an integrated logic / DRAM chip.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21 プロセッサ 22 DRAM 23 オンチップ相互接続 21 Processor 22 DRAM 23 On-Chip Interconnection

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 27/04 V (72)発明者 ウェイ・ファン アメリカ合衆国10504 ニューヨーク州ア ーモンクロング・ポンド・ロード 3 (72)発明者 片山 泰尚 日本国229−11 神奈川県相模原市下九沢 2130−1−504──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 27/04 V (72) Inventor Way Fun United States 10504 Almon Klong Pond Road, New York 3 (72) Inventor Yasuo Katayama Japan Country 229-11 2130-1-504 Shimokyuzawa, Sagamihara City, Kanagawa Prefecture

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】単一の集積回路チップ上の、マイクロプロ
セッサ・コア、ならびにブロックに編成されたシステム
論理およびダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ
(DRAM)を含むシステムのレイアウトをコンパイル
するコンピュータに実装された方法において、 ハードウェア記述データベースから各種の機能ユニット
に関する情報を抽出し、チップのマクロ配置およびフロ
ア・プランを生成するステップと、 チップのDRAM構成要素を構成し、DRAMマクロに
コンパイルするステップと、 DRAMマクロおよび論理マクロの全体的な物理的レイ
アウト構造を生成するステップと、 全体的なチップ電力分配構造と、論理マクロ内部の電力
分配グリッドを含むグリッドとを生成するステップと、 データベースに格納されているチップ・レベル・ネット
・リスト仕様にしたがってすべてのDRAM、論理およ
びチップ・サポート・マクロのチップ・レベルの相互接
続を生成するステップと、 生成された全体的な物理的レイアウト構造、生成された
全体的なチップ電力分配構造および生成されたチップ・
レベルの相互接続に基づいてチップのグローバル構造を
実施するステップと、 論理合成を使用して論理マクロを生成した後、生成され
たチップ・イメージにしたがってトランジスタのブック
を配置し、配線するステップと、 クロックおよびタイミングの検証、設計ルールの検査、
および論理シミュレーションを行って、設計の正しさを
検査するステップと、 すべてのマクロの間の相互接続を配線し、デカップリン
グ阻止を追加することによってチップ・レイアウトを生
成し、かつ設計ルールの正しさおよびタイミングを再度
検査するステップと、 最終的なチップのレイアウトを製造処理のために出力す
るステップとを備えている方法。
1. A computer implemented compiling system layout including a microprocessor core and system logic and dynamic random access memory (DRAM) organized in blocks on a single integrated circuit chip. Extracting information about the various functional units from a hardware description database and generating a macro layout and floor plan for the chip; configuring the DRAM components of the chip and compiling them into DRAM macros; Generating an overall physical layout structure of the DRAM macro and the logic macro; generating an overall chip power distribution structure and a grid including a power distribution grid inside the logic macro; I have Generating chip-level interconnects for all DRAM, logic and chip support macros according to a multi-level netlist specification; and a generated overall physical layout structure; a generated overall Chip power distribution structure and generated chip
Implementing a global structure of the chip based on the level interconnect; generating logic macros using logic synthesis; then placing and routing a book of transistors according to the generated chip image; Clock and timing verification, design rule inspection,
And perform logic simulation to check the design for correctness, route the interconnections between all macros, generate chip layout by adding decoupling prevention, and correct design rules. And re-examining the timing, and outputting the final chip layout for manufacturing processing.
【請求項2】構成およびコンパイルステップが、特定の
用途に必要とされる異なる量のメモリ容量、バンキング
および入出力(I/O)帯域幅、さまざまなアドレス指
定配線図、さまざまな動作モードおよび時間要件を備え
た埋込み成長可能DRAMマクロの物理的構造、回路お
よびレイアウトを作成するステップを含んでいる、請求
項1に記載のコンピュータに実装された方法。
2. The configuration and compilation steps require different amounts of memory capacity, banking and input / output (I / O) bandwidth, different addressing schematics, different operating modes and times required for a particular application. The computer-implemented method of claim 1, comprising creating a physical structure, circuit, and layout of an embedded growable DRAM macro with requirements.
【請求項3】DRAMマクロおよび論理マクロ用の全体
的なチップ電力分配構造を生成するステップが、チップ
内部で論理およびDRAM電力分配ネットワークを分離
し、これにより電源バスによるDRAMマクロと論理マ
クロの間のノイズ・カップリングを最小限とするステッ
プを含んでいる、請求項1に記載のコンピュータに実装
された方法。
3. The step of generating an overall chip power distribution structure for DRAM macros and logic macros comprises separating logic and DRAM power distribution networks within the chip, thereby providing a power bus between the DRAM macros and the logic macros. The computer-implemented method of claim 1, comprising the step of minimizing noise coupling of the computer.
【請求項4】オンチップ論理インタフェース回路、およ
び論理構成要素とDRAM構成要素の間のオンチップ金
属相互接続を最適化して、最大限のシステム帯域幅およ
びシステム・クロック周波数を達成するステップを更に
含んでいる、請求項1に記載のコンピュータに実装され
た方法。
4. The method further includes optimizing on-chip logic interface circuits and on-chip metal interconnects between the logic components and the DRAM components to achieve maximum system bandwidth and system clock frequency. The computer-implemented method of claim 1, wherein:
【請求項5】マイクロプロセッサ・コア、ならびにブロ
ックに編成されたシステム論理およびダイナミック・ラ
ンダム・アクセス・メモリ(DRAM)を含むシステム
オンチップ設計のレイアウトをコンパイルするコンピュ
ータ・ベースの設計システムにおいて、 システムオンチップ設計に合わせたDRAMメモリ・サ
ブシステム、マイクロプロセッサ・コア、キャッシュ、
システム制御バス、および入出力(I/O)に対するシ
ステム仕様源と、 DRAMメモリ・サブシステムに関する仕様を受け、D
RAMマクロ用の電力分配ネットワークを含むDRAM
マクロの全体的な物理的レイアウト構造を生成するDR
AMコンフィギュレータと、 システム・バスおよびI/Oに関する仕様を受け、チッ
プ上の各種の論理およびDRAMマクロを接続するのに
必要な論理を合成するバスおよびインタフェース合成器
と、 バスおよびインタフェース合成器の出力と、マイクロプ
ロセッサのコアおよびキャッシュに関する仕様を受け、
DRAMマクロ用の電力分配ネットワークとは別の論理
マクロ用の電力分配ネットワークを含む生成されたチッ
プ・イメージにしたがって論理マクロと、トランジスタ
のブックの配線を生成して、DRAMマクロと論理マク
ロの間のノイズ・カップリングを最小限とする論理合成
器と、 DRAMコンフィギュレータ、バスおよびインタフェー
ス合成器および論理合成器の出力を受け、かつすべての
マクロの間の相互接続を配線し、デカップリング素子を
追加することによってチップ・レイアウトを生成するチ
ップ統合機能とを備えており、前記レイアウト抽出機能
がクロックおよびタイミング検証、設計ルール検査およ
び論理シミュレーションを行って、設計の正しさを検査
するコンピュータ・ベースの設計システム。
5. A computer-based design system for compiling a layout of a system-on-chip design including a microprocessor core and system logic organized in blocks and dynamic random access memory (DRAM). DRAM memory subsystem, microprocessor core, cache,
Given the system specification source for the system control bus and input / output (I / O) and the specifications for the DRAM memory subsystem,
DRAM including power distribution network for RAM macro
DR to generate the overall physical layout structure of the macro
An AM configurator, a bus and interface synthesizer that receives specifications related to a system bus and I / O, and synthesizes various logics on a chip and logic necessary to connect a DRAM macro, and an output of the bus and interface synthesizer And the specifications for the microprocessor core and cache,
A logic macro and a transistor book wiring are generated in accordance with the generated chip image including a power distribution network for a logic macro different from the power distribution network for the DRAM macro, and a wiring between the DRAM macro and the logic macro is generated. A logic synthesizer that minimizes noise coupling, receives the output of the DRAM configurator, bus and interface synthesizer and logic synthesizer, routes the interconnections between all macros, and adds decoupling elements A chip integration function for generating a chip layout by performing a clock and timing verification, a design rule inspection and a logic simulation to check the correctness of the design. .
【請求項6】DRAMコンフィギュレータが、特定の用
途に必要とされる異なる量のメモリ容量、バンキングお
よび入出力(I/O)帯域幅、さまざまなアドレス指定
配線図、さまざまな動作モードおよび時間要件を備えた
埋込み成長可能DRAMマクロの物理的構造、回路およ
びレイアウトを作成する、請求項5に記載のコンピュー
タ・ベースの設計システム。
6. The DRAM configurator provides different amounts of memory capacity, banking and input / output (I / O) bandwidth, different addressing schematics, different modes of operation and time requirements for a particular application. The computer-based design system of claim 5, wherein the physical structure, circuit and layout of the embedded growable DRAM macro are provided.
【請求項7】チップ統合機能がオンチップ論理インタフ
ェース回路、および論理構成要素とDRAM構成要素の
間のオンチップ金属相互接続を最適化して、最大限のシ
ステム帯域幅およびシステム・クロック周波数を達成す
る、請求項5に記載のコンピュータ・ベースの設計シス
テム。
7. A chip integration function optimizes on-chip logic interface circuits and on-chip metal interconnects between logic and DRAM components to achieve maximum system bandwidth and system clock frequency. The computer-based design system of claim 5.
【請求項8】論理合成器がアクセスする回路ライブラリ
のデータベースをさらに含んでいる、請求項5に記載の
コンピュータ・ベースの設計システム。
8. The computer-based design system of claim 5, further comprising a circuit library database accessed by the logic synthesizer.
【請求項9】システム仕様源がアナログ・サブシステム
仕様を含んでおり、前記設計システムがアナログ・サブ
システム仕様と、DRAMコンフィギュレータ、論理合
成器からの出力を受け、チップ統合機能に出力を与え
て、アナログ・サブシステムをチップ上に組み込むカス
タム・レイアウト機能をさらに含んでいる、請求項8に
記載のコンピュータ・ベースの設計システム。
9. The system specification source includes an analog subsystem specification, and the design system receives the analog subsystem specification, an output from a DRAM configurator, and a logic synthesizer, and provides an output to a chip integration function. 9. The computer-based design system of claim 8, further comprising a custom layout function that incorporates an analog subsystem on a chip.
【請求項10】システム仕様源がディジタル信号プロセ
ッサ(DSP)仕様を含んでおり、カスタム・レイアウ
ト仕様がさらにDSP仕様を受けて、DSPをチップ上
に組み込む、請求項8に記載のコンピュータ・ベースの
設計システム。
10. The computer-based system of claim 8, wherein the system specification source includes a digital signal processor (DSP) specification, and wherein the custom layout specification further receives the DSP specification and embeds the DSP on a chip. Design system.
【請求項11】バスおよびインタフェース合成器および
論理合成器に入力を与えるクロックおよびタイミング・
アナライザをさらに含んでいる、請求項5に記載のコン
ピュータ・ベースの設計システム。
11. A clock and timing circuit for providing inputs to a bus and interface synthesizer and a logic synthesizer.
The computer-based design system of claim 5, further comprising an analyzer.
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