KR100578911B1 - Current demultiplexing device and current write type display device using the same - Google Patents
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Abstract
전류 기입형 표시 장치에서, 역다중화기를 이용하여 데이터선으로 데이터 전류를 전달한다. 역다중화기는 시분할되어 순차적으로 입력되는 전류를 샘플링한 후 데이터선으로 홀딩하는 복수의 샘플/홀드 회로로 이루어진다. 그리고 하나의 역다중화기가 연결되는 복수의 데이터선은 동일한 색상의 화소에 연결되는 데이터선이다. 이와 같이 하면, 서로 다른 색상의 화소에서 서로 다른 레벨의 전류를 전달할 수 있다. 그리고 레벨이 큰 전류를 전달하는 역다중화기의 샘플/홀드 회로에서는, 채널 폭과 채널 길이의 비가 큰 구동 트랜지스터를 사용한다. In a current write type display device, a demultiplexer is used to transfer a data current to a data line. The demultiplexer is composed of a plurality of sample / hold circuits which are time-divided and sequentially input currents and hold the data lines. The plurality of data lines connected to one demultiplexer are data lines connected to pixels of the same color. In this way, different levels of current may be transmitted in pixels of different colors. In the demultiplexer sample / hold circuit that delivers a large current, a driving transistor having a large ratio of channel width to channel length is used.
전류, 역다중화, 샘플, 홀드, 트랜지스터, 포화 영역Current, Demultiplex, Sample, Hold, Transistor, Saturation Region
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 도면이다. 1 is a schematic diagram of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 역다중화기의 개략적인 도면이다. 2 is a schematic diagram of a demultiplexer according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도 2의 역다중화기의 구동 타이밍도이다. 3 is a driving timing diagram of the demultiplexer of FIG. 2.
도 4a 내지 도 4d는 각각 도 3의 타이밍에 따른 도 2의 역다중화기의 동작을 나타내는 도면이다. 4A to 4D are diagrams illustrating the operation of the demultiplexer of FIG. 2 according to the timing of FIG. 3, respectively.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 샘플/홀드 회로의 등가 회로도이다. 5 is an equivalent circuit diagram of a sample / hold circuit according to an embodiment of the present invention.
도 6a 및 도 6b는 각각 도 5의 샘플/홀드 회로의 샘플링시의 동작점을 나타내는 도면이다. 6A and 6B are diagrams showing operating points when sampling the sample / hold circuit of FIG. 5, respectively.
도 7a 및 도 7b는 각각 도 5의 샘플/홀드 회로의 홀딩시의 동작점을 나타내는 도면이다. 7A and 7B are diagrams showing operating points when holding the sample / hold circuit of FIG. 5, respectively.
도 8은 도 5의 샘플/홀드 회로에서 샘플링 스위칭 소자를 p채널, 홀딩 스위칭 소자를 n채널형 트랜지스터로 형성한 샘플/홀드 회로의 등가 회로도이다. FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of a sample / hold circuit in which a sampling switching element is p-channel and a holding switching element is n-channel transistor in the sample / hold circuit of FIG. 5.
도 9 및 도 10은 각각 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 표시 장치의 역다중화부와 데이터선과의 관계를 나타내는 도면이다. 9 and 10 are diagrams illustrating a relationship between a demultiplexer and a data line of display apparatuses according to the first and second exemplary embodiments of the present invention, respectively.
도 11은 샘플/홀드 회로와 화소 회로가 연결된 회로의 등가 회로도이다. 11 is an equivalent circuit diagram of a circuit in which a sample / hold circuit and a pixel circuit are connected.
도 12 및 도 13은 각각 도 11의 샘플/홀드 회로의 샘플링 및 홀딩 동작시의 동작점을 나타내는 도면이다. 12 and 13 are diagrams illustrating operating points during sampling and holding operations of the sample / hold circuit of FIG. 11, respectively.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 역다중화기의 개략적인 도면이다. 14 is a schematic diagram of a demultiplexer according to another embodiment of the present invention.
도 15는 도 14의 역다중화기의 구동 타이밍도이다. FIG. 15 is a driving timing diagram of the demultiplexer of FIG. 14.
본 발명은 전류 역다중화 장치 및 이를 이용한 전류 기입형 표시 장치에 관한 것으로, 특히 샘플/홀드 회로를 이용하여 전류를 역다중화하는 역다중화 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a current demultiplexing device and a current write type display device using the same, and more particularly, to a demultiplexing device for demultiplexing a current using a sample / hold circuit.
표시 장치에는 주사선을 구동하기 위한 게이트 구동 집적 회로와 데이터선을 구동하기 위한 데이터 구동 집적 회로가 필요하다. 이때, 데이터 구동 집적 회로는 디지털 데이터 신호를 아날로그 신호로 변환하여 모든 데이터선에 인가하여야 하므로, 데이터선의 개수에 해당하는 출력 단자를 가져야 한다. 그런데 하나의 집적 회로가 가지는 출력 단자의 개수는 제한되어 있으므로 모든 데이터선을 구동하기 위해서는 많은 데이터 구동 집적 회로가 사용되어야 한다. 그래서 데이터 구동 집적 회로의 개수를 줄이기 위해서 역다중화기를 사용하는 방법이 제안되었다. The display device requires a gate driving integrated circuit for driving a scan line and a data driving integrated circuit for driving a data line. In this case, since the data driving integrated circuit converts the digital data signal into an analog signal and applies it to all data lines, the data driving integrated circuit must have an output terminal corresponding to the number of data lines. However, since the number of output terminals of one integrated circuit is limited, many data driving integrated circuits must be used to drive all data lines. Therefore, a method of using a demultiplexer has been proposed to reduce the number of data driving integrated circuits.
예를 들어, 1:2 역다중화기는 데이터 구동 집적 회로로부터 하나의 신호선을 통하여 시분할되어 인가되는 데이터 신호를 2개의 데이터선으로 나누어 인가한다. 그러므로 1:2 역다중화기를 사용하는 경우에는 데이터 구동 집적 회로의 개수를 절 반으로 줄일 수 있다. 최근 액정 표시 장치와 유기 전계발광 표시 장치는 데이터 구동 집적 회로가 패널 위에 직접 올라가는 형태로 제작되는 추세이며, 이와 같은 경우에 데이터 구동 집적 회로의 개수를 더욱 줄일 필요가 있다. For example, a 1: 2 demultiplexer divides and applies a data signal, which is time-divided and applied from a data driver integrated circuit, through two signal lines into two data lines. Therefore, when using a 1: 2 demultiplexer, the number of data driving integrated circuits can be reduced by half. Recently, the liquid crystal display and the organic electroluminescent display have a trend in which the data driving integrated circuit is directly mounted on the panel. In such a case, the number of the data driving integrated circuits needs to be further reduced.
역다중화기를 구성하는 방법으로 아날로그 스위치를 이용하는 방법이 있다. 예를 들어, 1:2의 역다중화기의 경우에는 데이터 구동 집적 회로의 신호선과 2개의 데이터선 사이에 2개의 아날로그 스위치가 연결되어 있으며, 아날로그 스위치가 교대로 턴온되어 신호선을 통하여 시분할되어 인가되는 데이터 신호를 2개의 데이터선으로 교대로 전달한다. 그런데 유기 전계발광 표시 장치의 경우에 화소에 데이터를 기입하는 방법으로 전류로 데이터를 기입하는 방법이 있는데, 아날로그 스위치를 사용하는 경우에는 하나의 데이터선에 데이터 전류를 인가할 수 있는 시간이 수평 주기의 절반이다. 따라서 역다중화기를 사용하지 않는 경우와 비교할 때 데이터를 화소에 기입하는 시간이 감소하므로, 데이터 전류가 화소에 충분히 기입되지 못한다는 문제점이 있다. An analog switch is used to configure the demultiplexer. For example, in the case of a 1: 2 demultiplexer, two analog switches are connected between a signal line and two data lines of a data driving integrated circuit, and the analog switches are alternately turned on to be time-divided and applied through the signal lines. Transmit the signal alternately to two data lines. However, in the case of an organic electroluminescent display, there is a method of writing data by using a current as a method of writing data into a pixel. When using an analog switch, a time period in which a data current is applied to one data line is a horizontal period. Half of that. Therefore, compared with the case of not using the demultiplexer, the time for writing data to the pixel is reduced, and thus there is a problem that the data current cannot be sufficiently written to the pixel.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 데이터를 기입하는 시간을 줄이지 않고 데이터 구동 집적 회로의 개수를 줄일 수 있는 역다중화 장치 및 표시 장치를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a demultiplexing device and a display device capable of reducing the number of data driving integrated circuits without reducing the time for writing data.
이러한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 하나의 역다중화기에서 동일한 색상의 화소에 대응되는 데이터 전류만을 샘플/홀드하도록 한다. In order to solve this problem, the present invention is to sample / hold only the data current corresponding to the pixel of the same color in one demultiplexer.
본 발명의 한 특징에 따르면, 표시 영역, 데이터 구동부 및 역다중화부를 포함하는 전류 기입형 표시 장치가 제공된다. 표시 영역은 일 방향으로 뻗어 있으며 화상 신호를 나타내는 제1 데이터 전류를 전달하는 복수의 데이터선, 데이터선과 교차하는 방향으로 뻗어 있으며 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 그리고 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선으로부터의 데이터 전류를 기입하여 화상을 표시하는 복수의 화소를 포함한다. 데이터 구동부는 복수의 신호선을 통하여 제1 데이터 전류에 대응하는 제2 데이터 전류를 시분할하여 전달한다. 역다중화부는 복수의 신호선에 각각 전기적으로 연결되는 복수의 역다중화기를 포함하며, 역다중화기는 신호선으로부터 제2 데이터 전류를 수신하여 적어도 두 개의 데이터선으로 제1 데이터 전류를 전달한다. 그리고 역다중화기는 복수의 샘플/홀드 회로를 포함하며, 복수의 샘플/홀드 회로 중 적어도 두 개의 샘플/홀드 회로는 입력단을 통하여 인가되는 전류를 샘플링한 후 샘플링한 전류에 대응하는 전류를 출력단을 통하여 적어도 두 개의 데이터선으로 각각 출력한다. 또한 샘플/홀드 회로에 각각 대응하는 데이터선은 동일한 색상의 화소에 전기적으로 연결된다. According to one aspect of the present invention, a current write type display device including a display area, a data driver, and a demultiplexer is provided. The display area extends in one direction and transmits a first data current representing an image signal, a plurality of scan lines extending in a direction crossing the data lines and transferring a selection signal, and a selection signal from the scanning line. A plurality of pixels for displaying an image by writing a data current from the data line is included. The data driver time-divisionally transfers a second data current corresponding to the first data current through a plurality of signal lines. The demultiplexer includes a plurality of demultiplexers electrically connected to the plurality of signal lines, respectively, and the demultiplexer receives the second data current from the signal line and transfers the first data current to at least two data lines. The demultiplexer includes a plurality of sample / hold circuits, and at least two sample / hold circuits of the plurality of sample / hold circuits sample a current applied through an input terminal, and then output a current corresponding to the sampled current through the output terminal. Output each to at least two data lines. In addition, data lines respectively corresponding to the sample / hold circuits are electrically connected to pixels of the same color.
본 발명의 한 실시예에 따르면, 복수의 화소는 적어도 두 색상의 화소를 포함하며, 하나의 역다중화기에 대응하는 적어도 두 개의 데이터선은 적어도 두 색상의 중 한 색상의 화소에 전기적으로 연결될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the plurality of pixels may include pixels of at least two colors, and at least two data lines corresponding to one demultiplexer may be electrically connected to pixels of one color of at least two colors. .
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 샘플/홀드 회로는 샘플링시에 턴온되는 샘플링 스위칭 소자, 홀딩시에 턴온되는 홀딩 스위칭 소자, 그리고 샘플링시에 샘플링 스위칭 소자를 통하여 인가되는 전류를 저장한 후 홀딩시에 홀딩 스위칭 소자를 통하여 출력하는 데이터 저장 소자를 포함한다. According to another embodiment of the present invention, the sample / hold circuit stores a sampling switching device that is turned on at the time of sampling, a holding switching device that is turned on at the time of holding, and stores the current applied through the sampling switching device at the time of holding. And a data storage element output through the holding switching element.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 복수의 샘플/홀드 회로 중 적어도 하나의 샘플/홀드 회로의 데이터 저장 소자는, 제1 전원과 제2 전원에 소스와 드레인이 각각 스위칭 소자를 통하여 전기적으로 연결되는 제1 트랜지스터, 그리고 제1 트랜지스터의 게이트와 소스 사이에 전기적으로 연결되는 제1 커패시터를 포함하며, 제1 커패시터에 샘플링 스위칭 소자를 통하여 인가되는 전류에 대응하는 전압을 저장한다. According to another embodiment of the present invention, the data storage element of at least one sample / hold circuit of the plurality of sample / hold circuits, the source and the drain are electrically connected to the first power supply and the second power supply, respectively, via a switching element. And a first capacitor electrically connected between the gate and the source of the first transistor, and storing a voltage corresponding to a current applied through the sampling switching element in the first capacitor.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 제1 색상의 화소에 기입되는 전류의 최대값이 제2 색상의 화소에 기입되는 전류의 최대값보다 크며, 제1 색상의 화소에 대응하는 역다중화기의 제1 트랜지스터의 채널 폭(W1)과 채널 길이(L1)의 비(W 1/L1)가 제2 색상의 화소에 대응하는 역다중화기의 제1 트랜지스터의 채널 폭(W2)과 채널 길이(L2)의 비(W2/L2)보다 크다. According to another embodiment of the present invention, the maximum value of the current written in the pixel of the first color is greater than the maximum value of the current written in the pixel of the second color, and the first value of the demultiplexer corresponding to the pixel of the first color is defined. the channel width of the first transistor (W 1) and channel length (L 1) ratio (W 1 / L 1) and a second second channel width of the first transistor of the demultiplexer for the pixels of color (W 2) and the channel length of the It is greater than the ratio (W 2 / L 2) of the (L 2).
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 제1 트랜지스터가 p채널형 트랜지스터이고, 제1 색상의 화소에 기입되는 전류의 최대값이 제2 색상의 화소에 기입되는 전류의 최대값보다 클 때, 제1 색상의 화소에 대응하는 샘플/홀드 회로의 제2 전원의 전압이 제2 색상의 화소에 대응하는 샘플/홀드 회로의 제2 전원의 전압보다 낮거나, 제1 색상의 화소에 대응하는 샘플/홀드 회로의 제1 전원의 전압이 제2 색상의 화소에 대응하는 상기 샘플/홀드 회로의 상기 제1 전원의 전압보다 높을 수 있다.According to another embodiment of the present invention, when the first transistor is a p-channel transistor and the maximum value of the current written in the pixel of the first color is greater than the maximum value of the current written in the pixel of the second color, The voltage of the second power supply of the sample / hold circuit corresponding to the pixel of one color is lower than the voltage of the second power supply of the sample / hold circuit corresponding to the pixel of the second color, or the sample / holding of the pixel of the first color. The voltage of the first power source of the hold circuit may be higher than the voltage of the first power source of the sample / hold circuit corresponding to the pixel of the second color.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 제1 트랜지스터가 n채널형 트랜지스터이 고, 제1 색상의 화소에 기입되는 전류의 최대값이 제2 색상의 화소에 기입되는 전류의 최대값보다 클 때, 제1 색상의 화소에 대응하는 샘플/홀드 회로의 제2 전원의 전압이 제2 색상의 화소에 대응하는 샘플/홀드 회로의 제2 전원의 전압보다 높거나, 제1 색상의 화소에 대응하는 샘플/홀드 회로의 제1 전원의 전압이 제2 색상의 화소에 대응하는 샘플/홀드 회로의 제1 전원의 전압보다 낮을 수 있다. According to another embodiment of the present invention, when the first transistor is an n-channel transistor and the maximum value of the current written in the pixel of the first color is greater than the maximum value of the current written in the pixel of the second color, The voltage of the second power supply of the sample / hold circuit corresponding to the pixel of one color is higher than the voltage of the second power supply of the sample / hold circuit corresponding to the pixel of the second color, or the sample / holding voltage corresponding to the pixel of the first color. The voltage of the first power supply of the hold circuit may be lower than the voltage of the first power supply of the sample / hold circuit corresponding to the pixel of the second color.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 샘플링 스위칭 소자는, 제1 트랜지스터의 드레인과 입력단 사이에 전기적으로 연결되는 제1 스위칭 소자, 턴온시에 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결하는 제2 스위칭 소자, 및 제1 전원과 제1 트랜지스터 사이에 전기적으로 연결되는 제3 스위칭 소자를 포함한다. 그리고 홀딩 스위칭 소자는, 제2 전원과 제1 트랜지스터 사이에 전기적으로 연결되는 제4 스위칭 소자, 및 제1 트랜지스터와 출력단 사이에 전기적으로 연결되는 제5 스위칭 소자를 포함한다. According to another embodiment of the invention, the sampling switching device, the first switching device electrically connected between the drain and the input terminal of the first transistor, the second switching device for connecting the first transistor in the form of a diode when turned on, And a third switching element electrically connected between the first power supply and the first transistor. The holding switching element may include a fourth switching element electrically connected between the second power supply and the first transistor, and a fifth switching element electrically connected between the first transistor and the output terminal.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 제3 스위칭 소자는 제1 트랜지스터와 동일한 도전형의 트랜지스터이며, 제4 스위칭 소자는 제1 트랜지스터와 반대되는 도전형의 트랜지스터이다. According to another embodiment of the invention, the third switching element is a transistor of the same conductivity type as the first transistor, and the fourth switching element is a transistor of the conductivity type opposite to the first transistor.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 복수의 샘플 홀드/회로는, 신호선에 입력단이 각각 전기적으로 연결되고 적어도 두 개의 데이터선 중 하나의 데이터선에 출력단이 각각 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 샘플/홀드 회로, 그리고 신호선에 입력단이 각각 전기적으로 연결되고 적어도 두 개의 데이터선 중 다른 하나의 데이터선에 출력단이 각각 전기적으로 연결되는 제3 및 제4 샘플/홀드 회로를 포함한 다. According to still another embodiment of the present invention, a plurality of sample hold / circuit includes a first and a second in which an input terminal is electrically connected to a signal line, respectively, and an output terminal is electrically connected to one of the at least two data lines, respectively. A sample / hold circuit, and third and fourth sample / hold circuits each having an input terminal electrically connected to the signal line and an output terminal electrically connected to the other one of the at least two data lines, respectively.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 제1 및 제3 샘플/홀드 회로가 신호선을 통하여 시분할되어 인가되는 제2 데이터 전류를 샘플링하는 동안 제2 및 제4 샘플/홀드 회로가 데이터선을 통하여 저장된 데이터에 대응하는 전류를 홀딩하며, 제2 및 제4 샘플/홀드 회로가 신호선을 통하여 시분할되어 인가되는 제2 데이터 전류를 샘플링하는 동안 제1 및 제3 샘플/홀드 회로가 데이터선을 통하여 저장된 데이터에 대응하는 전류를 홀딩한다. According to another embodiment of the present invention, the second and fourth sample / hold circuits are stored through the data line while the first and third sample / hold circuits sample the second data current applied in time division through the signal line. Data stored by the first and third sample / hold circuits through the data line while holding a current corresponding to the data, and while the second and fourth sample / hold circuits sample the second data current applied by being time-divided through the signal line. Hold the current corresponding to.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 역다중화기는, 신호선에 입력단이 전기적으로 연결되는 제1 샘플/홀드 회로, 제1 샘플/홀드 회로의 출력단에 입력단이 전기적으로 연결되고 적어도 두 개의 데이터선 중 하나의 데이터선에 출력단이 전기적으로 연결되는 제2 샘플/홀드 회로, 신호선에 입력단이 전기적으로 연결되는 제3 샘플/홀드 회로, 그리고 제3 샘플/홀드 회로의 출력단에 입력단이 전기적으로 연결되고 적어도 두 개의 데이터선 중 다른 하나의 데이터선에 출력단이 전기적으로 연결되는 제4 샘플/홀드 회로를 포함한다. According to another embodiment of the present invention, the demultiplexer may include a first sample / hold circuit having an input terminal electrically connected to a signal line, an input terminal electrically connected to an output terminal of the first sample / hold circuit, and including at least two data lines. A second sample / hold circuit having an output terminal electrically connected to one data line, a third sample / hold circuit having an input terminal electrically connected to the signal line, and an input terminal electrically connected to an output terminal of the third sample / hold circuit; And a fourth sample / hold circuit having an output terminal electrically connected to the other one of the two data lines.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 제1 및 제3 샘플/홀드 회로가 신호선을 통하여 시분할되어 인가되는 제2 데이터 전류를 순차적으로 샘플링하는 동안, 제2 및 제4 샘플/홀드 회로가 데이터선을 통하여 샘플링한 전류를 동시에 홀딩하며, 제1 및 제3 샘플/홀드 회로가 샘플링 전류를 홀딩하는 동안 제2 및 제4 샘플/홀드 회로가 홀딩되는 전류를 샘플링한다. According to another embodiment of the present invention, while the first and third sample / hold circuits sequentially sample the second data current applied by being time-divided through the signal line, the second and fourth sample / hold circuits perform the data line. Simultaneously holding the sampled current, and sampling the current held by the second and fourth sample / hold circuits while the first and third sample / hold circuits hold the sampling current.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 화소는, 데이터선을 통하여 전달되는 제1 데이터 전류가 흐르는 제2 트랜지스터, 제2 트랜지스터의 소스와 게이트 사이에 전기적으로 연결되며 제2 트랜지스터에 흐르는 전류에 대응하는 전압이 저장되는 제2 커패시터, 그리고 제2 커패시터에 저장된 전압에 따라 제2 트랜지스터에 흐르는 전류에 대응하여 발광하는 발광 소자를 포함한다. According to another exemplary embodiment of the present invention, the pixel may include a second transistor through which a first data current transmitted through the data line flows, a source of the second transistor, and a gate of the second transistor, and correspond to a current flowing through the second transistor. And a light emitting device that emits light corresponding to a current flowing in the second transistor according to the voltage stored in the second capacitor.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 발광 소자는 유기 물질의 전계 발광을 이용하는 발광 소자이다. According to another embodiment of the present invention, the light emitting device is a light emitting device using electroluminescence of an organic material.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 제1 색상의 화소에 기입되는 전류의 최대값이 제2 색상의 화소에 기입되는 전류의 최대값보다 크며, 제1 색상의 화소에 대응하는 제2 트랜지스터의 채널 폭(W3)과 채널 길이(L4)의 비(W3/L 4)가 제2 색상의 화소에 대응하는 제2 트랜지스터의 채널 폭(W4)과 채널 길이(L4)의 비(W4 /L4)보다 높을 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the maximum value of the current written in the pixel of the first color is greater than the maximum value of the current written in the pixel of the second color, and corresponds to the pixel of the second transistor. The ratio of the channel width W 4 and the channel length L 4 of the second transistor where the ratio W 3 / L 4 of the channel width W 3 to the channel length L 4 corresponds to the pixel of the second color It can be higher than (W 4 / L 4 ).
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 제2 트랜지스터의 소스가 제3 전원에 전기적으로 연결되며, 제2 트랜지스터가 p채널형 트랜지스터이고, 제1 색상의 화소에 기입되는 전류의 최대값이 제2 색상의 화소에 기입되는 전류의 최대값보다 크며, 제1 색상의 화소에 대응하는 제3 전원의 전압이 제2 색상의 화소에 대응하는 제3 전원의 전압보다 높을 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the source of the second transistor is electrically connected to the third power source, the second transistor is a p-channel transistor, and the maximum value of the current written in the pixel of the first color is the second. The voltage of the third power supply that is greater than the maximum value of the current that is written in the pixels of the color may be higher than the voltage of the third power source that corresponds to the pixels of the second color.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 제2 트랜지스터의 소스가 제3 전원에 전기적으로 연결되며, 제2 트랜지스터가 n채널형 트랜지스터이고, 제1 색상의 화소에 기입되는 전류의 최대값이 제2 색상의 화소에 기입되는 전류의 최대값보다 크며, 제1 색상의 화소에 대응하는 제3 전원의 전압이 제2 색상의 화소에 대응하는 제3 전원의 전압보다 낮을 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the source of the second transistor is electrically connected to the third power supply, the second transistor is an n-channel transistor, and the maximum value of the current written in the pixel of the first color is the second. The voltage of the third power supply that is greater than the maximum value of the current that is written in the pixels of the color may be lower than the voltage of the third power source that corresponds to the pixels of the second color.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 표시 영역, 역다중화부 및 데이터 구동부를 포함하는 표시 장치가 제공된다. 표시 영역은 행 방향으로 배열된 복수의 제1 색상의 화소, 인접한 두 제1 색상의 화소 사이에 각각 형성된 복수의 제2 색상의 화소, 및 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 데이터선을 포함한다. 데이터선은 제1 색상의 화소 또는 제2 색상의 화소에 전기적으로 연결되어 있다. 역다중화부는 복수의 제1 샘플/홀드 회로부와 복수의 제2 샘플/홀드 회로부를 포함하며, 제1 샘플/홀드 회로부는 제1 색상의 화소에 대응하는 데이터선에 전기적으로 연결되고, 제2 샘플/홀드 회로부는 제2 색상의 화소에 대응하는 데이터선에 전기적으로 연결된다. 데이터 구동부의 하나의 출력단은 복수의 제1 샘플/홀드 회로부와 복수의 제2 샘플/홀드 회로부 중 적어도 두 개의 샘플/홀드 회로부에 하나의 신호선을 통하여 전기적으로 연결된다. 이때, 제1 샘플/홀드 회로부는 데이터 구동부에서 신호선을 통하여 인가되는 제1 색상의 화상을 나타내는 제1 데이터 전류를 샘플링한 후 샘플링한 제1 데이터 전류에 대응하는 전류를 출력하며, 제2 샘플/홀드 회로부는 데이터 구동부에서 신호선을 통하여 인가되는 제2 색상의 화상을 나타내는 제2 데이터 전류를 샘플링한 후 샘플링한 제2 데이터 전류에 대응하는 전류를 출력한다. According to another feature of the present invention, a display device including a display area, a demultiplexer, and a data driver is provided. The display area includes a plurality of pixels of a first color arranged in a row direction, a plurality of pixels of a second color respectively formed between two adjacent first color pixels, and a plurality of data lines extending in a column direction. The data line is electrically connected to the pixel of the first color or the pixel of the second color. The demultiplexer includes a plurality of first sample / hold circuit parts and a plurality of second sample / hold circuit parts, wherein the first sample / hold circuit part is electrically connected to a data line corresponding to the pixel of the first color, and the second sample. The / hold circuit portion is electrically connected to the data line corresponding to the pixel of the second color. One output terminal of the data driver is electrically connected to at least two sample / hold circuits of the plurality of first sample / hold circuits and the plurality of second sample / hold circuits through one signal line. In this case, the first sample / hold circuit unit samples the first data current representing the image of the first color applied through the signal line from the data driver, and then outputs a current corresponding to the sampled first data current, and the second sample / hold circuit. The hold circuit unit samples the second data current representing the image of the second color applied through the signal line from the data driver, and then outputs a current corresponding to the sampled second data current.
본 발명의 한 실시예에 따르면, 신호선은 복수의 제1 샘플/홀드 회로부 중 적어도 두 개의 제1 샘플/홀드 회로부에 전기적으로 연결되는 제1 신호선과 복수의 제2 샘플/홀드 회로부 중 적어도 두 개의 제2 샘플/홀드 회로부에 전기적으로 연결 되는 제2 신호선을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the signal line may include at least two of a first signal line and a plurality of second sample / hold circuit parts electrically connected to at least two first sample / hold circuit parts of the plurality of first sample / hold circuit parts. The second signal line may be electrically connected to the second sample / hold circuit.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 신호선은 복수의 제1 샘플/홀드 회로부 중 적어도 하나의 제1 샘플/홀드 회로부와 복수의 제2 샘플/홀드 회로부 중 적어도 하나의 제2 샘플/홀드 회로부에 전기적으로 연결된다. According to another embodiment of the present invention, the signal line may be electrically connected to at least one of the first sample / hold circuit part and at least one second sample / hold circuit part of the plurality of first sample / hold circuit parts. Is connected.
본 발명의 또다른 특징에 따르면, 제1 샘플/홀드 회로부와 제2 샘플/홀드 회로부를 포함하는 전류 역다중화기 장치가 제공된다. 제1 샘플/홀드 회로부는 제1 신호선을 통하여 인가되는 제1 전류를 샘플링하고 샘플링된 제1 전류에 대응하는 전류를 제1 데이터선으로 홀딩하는 복수의 제1 샘플/홀드 회로를 포함한다. 제2 샘플/홀드 회로부는 제2 신호선을 통하여 인가되는 제2 전류를 샘플링하고 샘플링된 제2 전류에 대응하는 전류를 제2 데이터선으로 홀딩하는 복수의 제2 샘플/홀드 회로를 포함한다. 제1 및 제2 샘플/홀드 회로는 각각 제1 전원과 제2 전원에 소스와 드레인이 각각 스위칭 소자를 통하여 전기적으로 연결되는 트랜지스터, 그리고 트랜지스터의 게이트와 소스 사이에 전기적으로 연결되는 커패시터를 포함하며, 샘플링시에 입력단을 통하여 인가되는 전류에 대응하는 전류가 트랜지스터에 흘러서 커패시터에 트랜지스터의 전류에 대응하는 전압이 저장되고, 홀딩시에 커패시터에 저장된 전압에 대응하여 트랜지스터에 전류가 흐른다. 이때, 제1 전류의 최대값이 제2 전류의 최대값보다 크다. According to another feature of the invention, there is provided a current demultiplexer device comprising a first sample / hold circuit portion and a second sample / hold circuit portion. The first sample / hold circuit unit includes a plurality of first sample / hold circuits that sample a first current applied through the first signal line and hold a current corresponding to the sampled first current to the first data line. The second sample / hold circuit unit includes a plurality of second sample / hold circuits that sample a second current applied through the second signal line and hold a current corresponding to the sampled second current with the second data line. The first and second sample / hold circuits each include a transistor having a source and a drain electrically connected to the first power supply and the second power supply through a switching element, respectively, and a capacitor electrically connected between the gate and the source of the transistor. The current corresponding to the current applied through the input terminal at the time of sampling flows in the transistor so that the voltage corresponding to the current of the transistor is stored in the capacitor, and the current flows in the transistor corresponding to the voltage stored in the capacitor at the time of holding. At this time, the maximum value of the first current is greater than the maximum value of the second current.
본 발명의 전류 역다중화 장치의 한 실시예에 따르면, 제1 샘플/홀드 회로의 트랜지스터의 채널 폭(W1)과 채널 길이(L1)의 비(W1/L1)가 제2 샘플/홀드 회로의 트 랜지스터의 채널 폭(W2)과 채널 길이(L2)의 비(W2/L2)보다 클 수 있다. According to one embodiment of the current demultiplexer of the present invention, the ratio W 1 / L 1 of the channel width W 1 and the channel length L 1 of the transistor of the first sample / hold circuit is equal to the second sample / It may be greater than the ratio W 2 / L 2 of the channel width W 2 and the channel length L 2 of the transistor of the hold circuit.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 트랜지스터는 p채널형 트랜지스터이며, 제1 샘플/홀드 회로의 제2 전원의 전압이 제2 샘플/홀드 회로의 제2 전원의 전압보다 낮거나, 제1 샘플/홀드 회로의 제1 전원의 전압이 제2 샘플/홀드 회로의 제1 전원의 전압보다 높을 수 있다. According to another embodiment of the invention, the transistor is a p-channel transistor, the voltage of the second power supply of the first sample / hold circuit is lower than the voltage of the second power supply of the second sample / hold circuit, or the first sample / The voltage of the first power supply of the hold circuit may be higher than the voltage of the first power supply of the second sample / hold circuit.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 트랜지스터는 n채널형 트랜지스터이며, 제1 샘플/홀드 회로의 제2 전원의 전압이 제2 샘플/홀드 회로의 제2 전원의 전압보다 높거나, 제1 샘플/홀드 회로의 제1 전원의 전압이 제2 샘플/홀드 회로의 제1 전원의 전압보다 낮을 수 있다. According to another embodiment of the invention, the transistor is an n-channel transistor, the voltage of the second power supply of the first sample / hold circuit is higher than the voltage of the second power supply of the second sample / hold circuit, or the first sample The voltage of the first power supply of the / hold circuit may be lower than the voltage of the first power supply of the second sample / hold circuit.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.
도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part is connected to another part, this includes not only a directly connected part but also an electrically connected part with another element in between.
이제 본 발명의 실시예에 따른 전류 역다중화 장치 및 이를 이용한 표시 장 치에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.Now, a current demultiplexing apparatus and a display device using the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 도면이다. 1 is a schematic diagram of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역(100), 주사 구동부(200), 데이터 구동부(300) 및 역다중화부(400)를 포함한다. 표시 영역에는 복수의 데이터선(D1∼Dn), 복수의 선택 주사선(SE1
∼SEm), 복수의 발광 주사선(EM1∼EMm) 및 복수의 화소(110)가 형성되어 있다. 복수의 데이터선(D1∼Dn)은 열 방향으로 뻗어 있으며 화상을 나타내는 데이터 전류를 화소로 전달하며, 복수의 선택 주사선(SE1∼SEm)과 발광 주사선(EM1∼EM
m)은 행 방향으로 뻗어 있으며 각각 선택 신호와 발광 신호를 화소로 전달한다. 각 화소는 이웃한 두 데이터선과 이웃한 두 선택 주사선에 의해 정의되는 영역에 각각 형성되어 있으며, 하나의 선택 주사선(SEj)을 통하여 인가되는 선택 신호에 응답하여 하나의 데이터선(Di)으로부터의 데이터 전류를 전달하는 트랜지스터와 상기 트랜지스터에서 전달되는 데이터 전류에 응답하여 계조를 표시하는 표시 소자를 포함한다. As shown in FIG. 1, a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a
주사 구동부(200)는 복수의 선택 주사선(SE1∼SEm)과 복수의 발광 주사선(EM
1∼EMm)에 선택 신호 및 발광 신호를 순차적으로 인가하며, 데이터 구동부(300)는 역다중화부(400)로 데이터 전류를 시분할하여 인가한다. 역다중화부(400)는 데이터 구동부(300)로부터 시분할되어 입력되는 데이터 전류를 데이터선(D1∼Dn)으로 인가 하며, 역다중화부(400)가 1:N의 역다중화를 하는 경우에 데이터 구동부(300)에서 역다중화부(400)로 데이터 전류를 전달하는 신호선(X1∼Xn/N)은 n/N개이다. 즉, 하나의 신호선(X1)은 시분할되어 인가되는 데이터 전류를 N개의 데이터선(D1∼DN
)으로 전달한다. The
그리고 표시 영역(100)은 절연 기판 위에 형성되며, 주사 구동부(200)와 역다중화부(400)는 각각 절연 기판에 형성된 주사선(SE1∼SEm, EM1∼EM
m)과 데이터선(D1∼Dn)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이와는 달리, 주사 구동부(200), 데이터 구동부(300) 및/또는 역다중화부(400)를 절연 기판 위에 직접 장착할 수도 있다. 또한 주사 구동부(200), 데이터 구동부(300) 및/또는 역다중화부(400)를 절연 기판 위에서 주사선(SE1∼SEm, EM1∼EMm), 데이터선(D
1∼Dn) 및 화소의 트랜지스터를 형성하는 층과 동일한 층들로 형성하여, 주사 구동부(200), 데이터 구동부(300) 및/또는 역다중화부(400)와 표시 영역(100)을 하나의 패널로 형성할 수도 있다. The
아래에서는 본 발명의 실시예에 따른 역다중화부(400)에 대해서 도 2, 도 3, 도 4a 내지 도 4d를 참조하여 상세하게 설명한다. 역다중화부(400)는 복수의 역다중화기로 이루어지며 각 역다중화기는 하나의 신호선(X1)과 N개의 데이터선(D1∼D
N)에 대응한다. 아래에서는 편의상 역다중화부(400)가 1:2 역다중화를 하나는 것으로 하여 하나의 역다중화기가 2개의 데이터선에 대응하는 것으로 하여 설명한다. Hereinafter, the
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 역다중화기의 개략적인 도면이다. 2 is a schematic diagram of a demultiplexer according to an embodiment of the present invention.
도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 1:2 역다중화기는 4개의 샘플/홀드 회로(410, 420, 430, 440)를 포함한다. 각 샘플/홀드 회로(410, 420, 430, 440)는 샘플링 스위칭 소자(S1, S2, S3, S4), 데이터 저장 소자(411, 421, 431, 441) 및 홀딩 스위칭 소자(H1, H2, H3, H4)를 포함한다. 샘플/홀드 회로(410, 420, 430, 440)의 샘플링 스위칭 소자(S1, S2, S3, S4)의 제1단은 각각 데이터 저장 소자(411, 421, 431, 441)에 연결되고, 홀딩 스위칭 소자(H1, H2, H3, H4)의 제1단도 각각 데이터 저장 소자(411, 421, 431, 441)에 연결된다. 샘플/홀드 회로(410, 420, 430, 440)의 샘플링 스위칭 소자(S1, S2, S3, S4)의 제2단은 신호선(X1)에 공통으로 연결되어 있다. 샘플/홀드 회로(410, 430)의 홀딩 스위칭 소자(H1, H3)의 제2단은 데이터선(D1)에 공통으로 연결되고, 샘플/홀드 회로(420, 440)의 홀딩 스위칭 소자(H2, H4)의 제2단은 데이터선(D2)에 공통으로 연결되어 있다. 그리고 아래에서는 샘플/홀드 회로(410, 420, 430, 440)에서 신호선(Xi)과 연결되는 단을 입력단이라 하고 데이터선(D1, D2)과 연결되는 단을 출력단이라 한다.
As shown in FIG. 2, a 1: 2 demultiplexer according to an embodiment of the present invention includes four sample /
각각의 샘플/홀드 회로(410, 420, 430, 440)는 샘플링 스위칭 소자(S1, S2, S3, S4)가 턴온되면 샘플링 스위칭 소자(S1, S2, S3, S4)를 통하여 전달되는 전류를 샘플링하여 전압 형태로 데이터 저장 소자(411, 421, 431, 441)에 저장하고, 홀딩 스위칭 소자(H1, H2, H3, H4)가 턴온되면 데이터 저장 소자(411, 421, 431, 441)에 저장된 전압에 대응하는 전류를 홀딩 스위칭 소자(H1, H2, H3, H4)를 통하 여 홀딩한다. Each of the sample /
여기서, 턴온되어 입력되는 전류를 전압 형태로 데이터 저장 소자에 기록하는 것을 '샘플링'으로 정의하고, 데이터 저장 소자에 기록된 데이터를 유지하는 것을 '대기'로 정의하며, 데이터 저장 소자에 기록된 데이터에 대응하는 전류를 출력하는 것을 '홀딩'으로 정의한다. Here, the recording of the current turned on and input to the data storage device in the form of voltage is defined as 'sampling', and the data stored in the data storage device is defined as 'waiting' and the data recorded in the data storage device. Outputting a current corresponding to is defined as 'holding'.
다음, 도 3, 도 4a 내지 도 4d를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 역다중화기의 동작에 대해서 설명한다. Next, the operation of the demultiplexer according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4A to 4D.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 역다중화기의 스위칭 소자의 타이밍도이며, 도 4a 내지 도 4c는 각각 도 3의 타이밍에 따른 도 2의 역다중화기의 동작을 나타내는 도면이다. 도 3에서 로우 레벨로 표시된 것은 각 스위칭 소자가 턴온된 상태를 나타내고, 하이 레벨로 표시된 것은 각 스위칭 소자가 턴오프된 상태를 나타낸다. 3 is a timing diagram of a switching element of a demultiplexer according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 4A to 4C are diagrams illustrating the operation of the demultiplexer of FIG. 2 according to the timing of FIG. 3, respectively. In FIG. 3, a low level indicates a state where each switching element is turned on, and a high level indicates a state where each switching element is turned off.
도 3과 도 4a를 보면, T1 구간에서는 샘플링 스위칭 소자(S3)와 홀딩 스위칭 소자(H1, H2)가 턴온된다. 샘플링 스위칭 소자(S3)가 턴온되면 신호선(X1)을 통하여 인가되는 데이터 전류가 저장 소자(431)로 샘플링된다. 홀딩 스위칭 소자(H1, H2)가 턴온되면 저장 소자(411, 421)에 각각 저장된 데이터에 대응하는 전류가 각각 데이터선(D1, D2)으로 홀딩된다. 그리고 샘플링 스위칭 소자(S4)와 홀딩 스위칭 소자(H4)가 모두 턴오프되어 있는 샘플/홀드 회로는 대기 상태로 있다. 3 and 4A, the sampling switching device S3 and the holding switching devices H1 and H2 are turned on in the T1 section. When the sampling switching device S3 is turned on, the data current applied through the signal line X 1 is sampled by the
다음, 도 3과 도 4b를 보면, T2 구간에서는 홀딩 스위칭 소자(H1, H2)가 턴 온된 상태에서 샘플링 스위칭 소자(S3)가 턴오프되고 샘플링 스위칭 소자(S4)가 턴온된다. 홀딩 스위칭 소자(H1, H2)가 턴온되어 있으므로 저장 소자(411, 421)에 각각 저장된 데이터에 대응하는 전류는 계속 데이터선(D1, D2)으로 홀딩된다. 그리고 샘플링 스위칭 소자(S4)가 턴온되면 신호선(X1)을 통하여 인가되는 데이터 전류가 저장 소자(441)로 샘플링된다. 3 and 4B, the sampling switching device S3 is turned off and the sampling switching device S4 is turned on while the holding switching devices H1 and H2 are turned on in the T2 section. Since the holding switching elements H1 and H2 are turned on, currents corresponding to the data stored in the
도 3과 도 4c를 보면, T3 구간에서는 샘플링 스위칭 소자(S4)와 홀딩 스위칭 소자(H1, H2)가 턴오프되고 샘플링 스위칭 소자(S1)와 홀딩 스위칭 소자(H3, H4)가 턴온된다. 샘플링 스위칭 소자(S1)가 턴온되면 신호선(X1)을 통하여 인가되는 데이터 전류가 저장 소자(411)로 샘플링된다. 홀딩 스위칭 소자(H3, H4)가 턴온되면 T1 및 T2 구간에서 저장 소자(431, 441)에 각각 저장된 데이터에 대응하는 전류가 각각 데이터선(D1, D2)으로 홀딩된다. 3 and 4C, the sampling switching element S4 and the holding switching elements H1 and H2 are turned off and the sampling switching element S1 and the holding switching elements H3 and H4 are turned on in the T3 section. When the sampling switching element S1 is turned on, the data current applied through the signal line X 1 is sampled by the
다음, 도 3과 도 4d를 보면, T4 구간에서는 홀딩 스위칭 소자(H3, H4)가 턴온된 상태에서 샘플링 스위칭 소자(S1)가 턴오프되고 스위칭 소자(S2)가 턴온된다. 홀딩 스위칭 소자(H3, H4)가 턴온되어 있으므로 저장 소자(431, 441)에 각각 저장된 데이터에 대응하는 전류는 계속 데이터선(D1, D2)으로 홀딩된다. 그리고 샘플링 스위칭 소자(S2)가 턴온되면 신호선(X1)을 통하여 인가되는 데이터 전류가 저장 소자(421)로 샘플링된다. Next, referring to FIGS. 3 and 4D, in the period T4, the sampling switching device S1 is turned off and the switching device S2 is turned on while the holding switching devices H3 and H4 are turned on. Since the holding switching elements H3 and H4 are turned on, currents corresponding to the data stored in the
이때, T1과 T2 구간이 선택 신호에 의해 한 행의 주사선에 연결된 화소가 턴 온되는 기간(이하, "수평 주기"라 함)에 해당하고, T3과 T4 구간이 다음 수평 주기에 해당한다. 이와 같이, 한 수평 주기 동안 데이터 전류를 데이터선에 계속 인가할 수 있으므로 화소에 데이터를 기입하는 시간을 확보할 수 있다. 그리고 T1 내지 T4 구간이 반복됨으로써 한 프레임동안 데이터 전류를 데이터선으로 전달할 수 있다. In this case, the periods T1 and T2 correspond to the periods (hereinafter, referred to as "horizontal periods") in which the pixels connected to the scan lines of one row are turned on by the selection signal, and the periods T3 and T4 correspond to the next horizontal periods. In this manner, the data current can be continuously applied to the data line for one horizontal period, thereby ensuring time for writing data into the pixel. The data current can be transferred to the data line for one frame by repeating the T1 to T4 sections.
도 2의 역다중화기에 포함되는 4개의 샘플/홀드 회로는 실질적으로 서로 동일하게 구현될 수 있으므로, 아래에서는 도 2의 샘플/홀드 회로 중 하나의 샘플/홀드 회로(410)에 대하여 도 5 내지 도 7b를 참조하여 상세하게 설명한다. Since the four sample / hold circuits included in the demultiplexer of FIG. 2 may be implemented in substantially the same manner, the sample /
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 샘플/홀드 회로의 등가 회로도이다. 도 6a 및 도 6b는 각각 도 5의 샘플/홀드 회로의 샘플링시의 동작점을 나타내는 도면이다. 도 7a 및 도 7b는 각각 도 5의 샘플/홀드 회로의 홀딩시의 동작점을 나타내는 도면이다. 5 is an equivalent circuit diagram of a sample / hold circuit according to an embodiment of the present invention. 6A and 6B are diagrams showing operating points when sampling the sample / hold circuit of FIG. 5, respectively. 7A and 7B are diagrams showing operating points when holding the sample / hold circuit of FIG. 5, respectively.
도 5에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 샘플/홀드 회로는 신호선(X1)과 데이터선(D1) 사이에 연결되며, 트랜지스터(M1), 커패시터(Ch) 및 5개의 스위칭 소자(Sa, Sb, Sc, Ha, Hb)를 포함한다. 이러한 데이터선(D1)에는 기생 저항 성분과 기생 커패시턴스 성분이 형성되어 있으며, 도 5에서는 기생 저항 성분을 R1, R2로, 기생 커패시턴스 성분을 C1, C2, C3으로 예시하였다. 그리고 도 5에서는 트랜지스터(M1)를 p채널형 전계 효과 트랜지스터, 특히 MOSFET(metal oxide semiconductor field-effect transistor)로 도시하였다. As shown in FIG. 5, a sample / hold circuit according to an embodiment of the present invention is connected between a signal line X 1 and a data line D 1 , and includes a transistor M1, a capacitor Ch, and five switching elements. (Sa, Sb, Sc, Ha, Hb). The parasitic resistance component and the parasitic capacitance component are formed in the data line D 1. In FIG. 5, the parasitic resistance components are represented by R1 and R2 and the parasitic capacitance components are represented by C1, C2, and C3. In FIG. 5, the transistor M1 is illustrated as a p-channel type field effect transistor, in particular, a metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET).
스위칭 소자(Sa)는 전원 전압(VDD1)과 트랜지스터(M1)의 소스 사이에 연결되고, 스위칭 소자(Ha)는 전원 전압(VSS1)과 트랜지스터(M1)의 드레인에 접속된다. 트랜지스터(M1)가 p채널형이므로 전원 전압(VDD1)은 전원 전압(VSS1)보다 높은 전압을 공급한다. 보통 전원 전압(VDD1)은 양의 전압으로 하고 전원 전압(VSS1)은 음의 전압으로 한다. 스위칭 소자(Sb)는 신호선(X1)과 트랜지스터(M1)의 게이트 사이에 연결되며, 스위칭 소자(Hb)는 트랜지스터(M1)의 소스와 데이터선(D1) 사이에 연결된다. 스위칭 소자(Sc)는 신호선(X1)과 트랜지스터(M1)의 드레인 사이에 연결되어 스위칭 소자(Sb, Sc)가 턴온되는 경우에 트랜지스터(M1)를 다이오드 형태로 연결한다. 이때, 스위칭 소자(Sc)는 트랜지스터(M1)의 게이트와 드레인 사이에 연결되트랜지스터(M1)를 다이오드 형태로 연결할 수도 있다. The switching element Sa is connected between the power supply voltage VDD1 and the source of the transistor M1, and the switching element Ha is connected to the power supply voltage VSS1 and the drain of the transistor M1. Since the transistor M1 is a p-channel type, the power supply voltage VDD1 supplies a voltage higher than the power supply voltage VSS1. Normally, the power supply voltage VDD1 is a positive voltage and the power supply voltage VSS1 is a negative voltage. The switching element Sb is connected between the signal line X 1 and the gate of the transistor M1, and the switching element Hb is connected between the source of the transistor M1 and the data line D 1 . The switching element Sc is connected between the signal line X 1 and the drain of the transistor M1 to connect the transistor M1 in the form of a diode when the switching elements Sb and Sc are turned on. In this case, the switching element Sc may be connected between the gate and the drain of the transistor M1 and may connect the transistor M1 in the form of a diode.
다음, 도 5의 샘플/홀드 회로의 동작에 대해서 설명한다. 여기서, 스위칭 소자(Sa, Sb, Sc)는 실질적으로 동일한 타이밍에서 턴온 및 턴오프되고, 스위칭 소자(Ha, Hb)도 실질적으로 동일한 타이밍에서 턴온 및 턴오프된다. Next, the operation of the sample / hold circuit of FIG. 5 will be described. Here, the switching elements Sa, Sb, Sc are turned on and off at substantially the same timing, and the switching elements Ha, Hb are also turned on and off at the substantially same timing.
먼저, 스위칭 소자(Sa, Sb, Sc)가 턴온되고 스위칭 소자(Ha, Hb)가 턴오프되면, 트랜지스터(M1)는 다이오드 형태로 연결되고, 커패시터(Ch)에 전류가 공급되어 전압이 충전되고 트랜지스터(M1)의 게이트 전위가 저하하여 소스에서 드레인으로 전류가 흐른다. 시간 경과에 의해 커패시터(Ch)의 충전 전압이 높아져서 트랜지스터(M1)의 드레인 전류가 신호선(X1)으로부터의 데이터 전류(IDATA)와 동일해지면 커패시터(Ch)의 충전 전류가 정지하여 커패시터(Ch)가 일정한 전압으로 충전된다. 즉, 신호선(X1)으로부터의 데이터 전류(IDATA)에 대응하는 전압인 트랜지스터(M1)의 소스-게이트 전압(VSG)이 커패시터(Ch)에 충전된다. 이와 같은 방법으로 샘플/홀드 회로(410)는 신호선(X1)으로부터의 데이터 전류(IDATA)를 샘플링한다. First, when the switching elements Sa, Sb and Sc are turned on and the switching elements Ha and Hb are turned off, the transistor M1 is connected in the form of a diode, a current is supplied to the capacitor Ch, and the voltage is charged. The gate potential of the transistor M1 decreases so that a current flows from the source to the drain. When the charge voltage of the capacitor Ch increases with time, and the drain current of the transistor M1 becomes equal to the data current I DATA from the signal line X 1 , the charge current of the capacitor Ch is stopped and the capacitor Ch ) Is charged to a constant voltage. That is, the capacitor Ch is charged with the source-gate voltage V SG of the transistor M1, which is a voltage corresponding to the data current I DATA from the signal line X 1 . In this manner, the sample /
다음, 스위칭 소자(Sa, Sb, Sc)가 턴오프되고 스위칭 소자(Ha, Hb)가 턴온되면, 커패시터(Ch)에 충전된 소스-게이트 전압(VSG)에 대응하는 전류가 스위칭 소자(Hb)를 거쳐 데이선(D1)에 전달된다. 이와 같은 방법으로 샘플/홀드 회로(410)는 데이터선(D1)으로 전류를 홀딩한다. Next, when the switching elements Sa, Sb and Sc are turned off and the switching elements Ha and Hb are turned on, a current corresponding to the source-gate voltage V SG charged in the capacitor Ch is switched to the switching element Hb. Is transmitted to the day line D 1 . In this manner, the sample /
그리고 샘플/홀드 회로(410)는 도 2의 샘플/홀드 회로(420)가 샘플링하는 동안(T2)에는 스위칭 소자(Sa, Sb, Sc, Ha, Hb)가 모두 턴오프되어 커패시터(Ch)에 충전된 전압을 유지한다. 즉, 샘플/홀드 회로(410)는 대기 상태로 된다. In the sample /
스위칭 소자(Sa, Sb, Sc)가 턴온되는 경우에 샘플/홀드 회로(410)는 샘플링 동작을 수행하므로 스위칭 소자(Sa, Sb, Sc)는 도 2의 샘플링 스위칭 소자(S1)에 대응하고, 스위칭 소자(Ha, Hb)가 턴온되는 경우에 샘플/홀드 회로(410)는 홀딩 동작을 수행하므로 스위칭 소자(Ha, Hb)는 도 2의 홀딩 스위칭 소자(H1)에 대응한다. 그리고 커패시터(C1)와 트랜지스터(M1)는 데이터 전류에 대응하는 전압을 저장하는 역할을 하므로 데이터 저장 소자(411)에 대응한다. When the switching elements Sa, Sb, and Sc are turned on, the sample /
이에 따라 스위칭 소자(Sa, Sb, Sc)는 샘플링 스위칭 소자(S1)의 타이밍과 실질적으로 동일하고, 스위칭 소자(Ha, Hb)는 홀딩 스위칭 소자(H1)의 타이밍과 실 질적으로 동일하다. 이러한 타이밍은 회로 내에서의 지연 등으로 인해 차이가 있을 수 있다. 또한 스위칭 소자(Sa, Sb, Sc)는 하나의 제어 신호로 제어될 수 있으며, 서로 다른 제어 신호로 제어될 수도 있다. 마찬가지로, 스위칭 소자(Ha, Hb)도 하나의 제어 신호로 제어될 수 있으며 서로 다른 제어 신호로 제어될 수도 있다. 또한, 도 5에서 스위칭 소자(Sa, Sb, Sc, Ha, Hb)는 p채널 또는 n채널의 전계 효과 트랜지스터로 구현될 수 있다. Accordingly, the switching elements Sa, Sb, and Sc are substantially the same as the timing of the sampling switching element S1, and the switching elements Ha and Hb are substantially the same as the timing of the holding switching element H1. Such timing may vary due to delays in the circuit and the like. In addition, the switching elements Sa, Sb, and Sc may be controlled by one control signal, or may be controlled by different control signals. Similarly, the switching elements Ha and Hb may also be controlled by one control signal and may be controlled by different control signals. In addition, in FIG. 5, the switching elements Sa, Sb, Sc, Ha, and Hb may be implemented as p-channel or n-channel field effect transistors.
그리고 도 5에서 샘플/홀드 회로는 샘플링 동작 동안 신호선(X1), 즉 입력단으로 데이터 전류를 소싱(sourcing)하고, 홀딩 동작 동안 데이터선(D1), 즉 출력단으로부터 데이터 전류를 싱크한다. 따라서 도 5에 나타낸 샘플/홀드 회로는 신호선(X1)에서 데이터 전류를 싱크하는 형태, 즉 출력단이 전류 싱크 형태인 데이터 구동부(300)와 함께 사용될 수 있다. 일반적으로 출력단이 전류 싱크 형태인 구동 집적 회로가 출력단이 전류 소스 형태인 구동 집적 회로에 비해 저렴하므로 데이터 구동부(300)의 단가가 저감한다. In FIG. 5, the sample / hold circuit sources the data current to the signal line X 1 , that is, the input terminal during the sampling operation, and sinks the data current from the data line D 1 , that is, the output terminal during the holding operation. Accordingly, the sample / hold circuit shown in FIG. 5 may be used together with the
또한 도 5에서 트랜지스터(M1)를 n채널형 전계 효과 트랜지스터로 구현하고 전원 전압(VDD1)과 전원 전압(VSS1)의 상대적 전압 레벨을 서로 바꾸면 입력단이 전류 싱크 형태이고 출력단이 전류 소스 형태인 샘플/홀드 회로를 구현할 수 있다. 이러한 샘플/홀드 회로의 구성은 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예로부터 용이하게 도출될 수 있으므로 그 설명을 생략한다.In addition, in FIG. 5, when the transistor M1 is implemented as an n-channel field effect transistor and the relative voltage levels of the power supply voltage VDD1 and the power supply voltage VSS1 are changed from each other, the input terminal is a current sink and the output terminal is a current source. Hold circuit can be implemented. Since the structure of the sample / hold circuit can be easily derived from this embodiment by those skilled in the art, description thereof is omitted.
그리고 도 5에서 샘플링 동작에서 충분한 포화 영역을 확보하기 위해서 스위 칭 소자(Sa)는 트랜지스터(M1)와 동일한 도전형으로 형성될 수 있다. 만약, 도 5에서 스위칭 소자(Sa)가 트랜지스터(M1)와 달리 n채널형이면, 샘플링 동작시에는 스위칭 소자(Sa)의 게이트에 VDD1 전압이 인가되어 스위칭 소자(Sa)가 다이오드 형태로 연결되게 된다. 이에 따라 트랜지스터(M1)의 소스-게이트 전압에 따른 트랜지스터(M1)의 전류와 드레인 전압 사이의 특성 곡선은 도 6a와 같이 된다. 반대로 스위칭 소자(Sa)가 트랜지스터(M1)와 같은 p채널형이면, 샘플링 동작시에 스위칭 소자(Sa)는 선형 영역에서 동작하게 되어 특성 곡선은 도 6b와 같이 된다. 도 6a와 도 6b를 보면 도 6b의 경우가 같은 전류에서 사용 가능한 동작점의 전압 범위가 도 6a에 비해 더 넓은 것을 알 수 있다. In order to secure a sufficient saturation region in the sampling operation in FIG. 5, the switching element Sa may be formed to have the same conductivity type as the transistor M1. If the switching element Sa is n-channel type unlike the transistor M1 in FIG. 5, the VDD1 voltage is applied to the gate of the switching element Sa during the sampling operation so that the switching element Sa is connected in the form of a diode. do. Accordingly, the characteristic curve between the current and the drain voltage of the transistor M1 according to the source-gate voltage of the transistor M1 is as shown in FIG. 6A. On the contrary, if the switching element Sa is of the p-channel type like the transistor M1, the switching element Sa operates in the linear region during the sampling operation, and the characteristic curve is as shown in Fig. 6B. 6A and 6B, it can be seen that the voltage range of the operating point that can be used at the same current in FIG. 6B is wider than that in FIG. 6A.
마찬가지로 도 5에서 홀딩 동작에서 충분한 포화 영역을 확보하기 위해서 스위칭 소자(Ha)는 트랜지스터(M1)와 반대되는 도전형으로 형성될 수 있다. 만약, 도 5에서 스위칭 소자(Ha)가 트랜지스터(M1)와 같이 p채널형이면, 홀딩 동작시에는 스위칭 소자(Ha)의 게이트에 VSS1 전압이 인가되어 스위칭 소자(Ha)가 다이오드 형태로 연결되게 된다. 이에 따라 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압에 따른 트랜지스터(M1)의 전류와 소스 전압 사이의 특성 곡선은 도 7a와 같이 된다. 반대로 스위칭 소자(Ha)가 n채널형이면, 홀딩 동작시에 스위칭 소자(Ha)는 선형 영역에서 동작하게 되어 특성 곡선은 도 7b와 같이 된다. 도 7a 및 도 7b에서 VDD2 전압은 홀딩시에 데이터선(D1)이 화소를 통하여 연결되는 전원 전압이다. 도 7a와 도 7b를 보면 도 7b의 경우가 같은 전류에서 사용 가능한 동작점의 전압 범위가 도 7a에 비해 더 넓은 것을 알 수 있다. Similarly, in FIG. 5, in order to secure a sufficient saturation region in the holding operation, the switching element Ha may be formed in a conductive type opposite to the transistor M1. If the switching element Ha is a p-channel type like the transistor M1 in FIG. 5, the VSS1 voltage is applied to the gate of the switching element Ha during the holding operation so that the switching element Ha is connected in the form of a diode. do. Accordingly, the characteristic curve between the current and the source voltage of the transistor M1 according to the gate-source voltage of the transistor M1 becomes as shown in FIG. 7A. On the contrary, if the switching element Ha is an n-channel type, the switching element Ha operates in the linear region during the holding operation, so that the characteristic curve is as shown in Fig. 7B. In FIGS. 7A and 7B, the voltage VDD2 is a power supply voltage to which the data line D 1 is connected through the pixel when held. 7A and 7B, it can be seen that the voltage range of the operating point that can be used at the same current in FIG. 7B is wider than that in FIG. 7A.
그리고 스위칭 소자(Sa, Ha)가 각각 p채널 및 n채녈형으로 형성되는 경우에, 샘플링과 홀딩을 각각 하나의 제어 신호로 제어하기 위해서 샘플링 동작시에 턴온되는 스위칭 소자(Sb, Sc)는 p채널형 트랜지스터로 형성되고 홀딩 동작시에 턴온되는 스위칭 소자(Hb)는 n채널형 트랜지스터로 형성될 수 있다. 도 8은 도 5의 샘플/홀드 회로에서 스위칭 소자(Sa, Sb, Sc)를 p채널형 트랜지스터로 형성하고 스위칭 소자(Ha, Hb)를 n채널형 트랜지스터로 형성한 샘플/홀드 회로이다. 도 8을 보면, 스위칭 소자(Sa, Sb, Sc)는 제어 신호(A)로 제어되고 스위칭 소자(Ha, Hb)는 제어 신호(B)로 제어된다. In the case where the switching elements Sa and Ha are formed in p-channel and n-channel types, respectively, the switching elements Sb and Sc turned on during the sampling operation to control sampling and holding as one control signal are p. The switching element Hb formed of the channel transistor and turned on in the holding operation may be formed of the n-channel transistor. FIG. 8 is a sample / hold circuit in which the switching elements Sa, Sb, and Sc are formed of p-channel transistors and the switching elements Ha and Hb are formed of n-channel transistors in the sample / hold circuit of FIG. 5. 8, the switching elements Sa, Sb and Sc are controlled by the control signal A and the switching elements Ha and Hb are controlled by the control signal B. As shown in FIG.
다음, 도 9 및 도 10을 참조하여 샘플/홀드 회로를 사용한 역다중화기를 포함하는 표시 장치에 대해서 설명한다. Next, a display device including a demultiplexer using a sample / hold circuit will be described with reference to FIGS. 9 and 10.
도 9 및 도 10은 각각 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 표시 장치의 역다중화부와 데이터선과의 관계를 나타내는 도면이다. 9 and 10 are diagrams illustrating a relationship between a demultiplexer and a data line of display apparatuses according to the first and second exemplary embodiments of the present invention, respectively.
도 9 및 도 10에서는 적색(red), 녹색(green), 청색(blue)의 화소가 행 방향으로 교대로 배열되어 있고, 열 방향으로 동일한 색상의 화소가 배열되어 있는 것으로 한다. 그리고 적색, 녹색, 청색의 화소에 각각 연결되는 데이터선을 Ri, Gi, Bi로 표시한다. 또한 도 9 및 도 10에서는 편의상 행 방향으로 적색, 녹색, 청색의 화소가 각각 2개씩 있는 것으로 가정하였으며, 2개보다 많은 경우에도 도 9 및 도 10에 나타낸 것과 동일한 패턴으로 연결된다. In FIGS. 9 and 10, red, green, and blue pixels are alternately arranged in the row direction, and pixels of the same color are arranged in the column direction. Data lines connected to red, green, and blue pixels, respectively, are represented by R i , G i , and B i . 9 and 10, for convenience, it is assumed that there are two red, green, and blue pixels in the row direction, and more than two pixels are connected in the same pattern as shown in FIGS. 9 and 10.
도 9를 보면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 역다중화부(400)에서 입력단이 신호선(X1)에 연결되는 역다중화기(401)의 출력단이 데이터선(R1, G
1)에 연결되고, 입력단이 신호선(X2)에 연결되는 역다중화기(402)의 출력단이 데이터선(B1, R1)에 연결되고, 입력단이 신호선(X3)에 연결되는 역다중화기(403)의 출력단이 데이터선(R1, G1)에 연결되어 있다. 그리고 각 역다중화기(401, 402, 403)의 샘플링 스위칭 소자(S1, S2, S3, S4)는 각각 별개의 신호선으로 제어되고, 홀딩 스위칭 소자(H1, H2)는 공통의 신호선으로 제어되고, 마찬가지로 홀딩 스위칭 소자(H3, H4)도 공통의 신호선으로 제어된다. 9, in the
그런데 일반적으로 적색, 녹색, 청색 각각의 화소에서 계조를 표현하기 위해 필요로 하는 전류 범위가 다르므로, 데이터 구동부(300)에서 하나의 출력단의 전류의 동작 전압 범위를 하나의 색상에 해당하는 전류 범위로 설정하면 다른 색상의 화소에 해당하는 전류는 해당 동작 전압 범위에서 정상적으로 출력되지 않을 수 있다. 따라서 도 9와 같이 두 가지 색상의 화소가 하나의 출력단에 연결되는 경우에는 하나의 색상의 화소에서는 적절한 계조가 표현되지 않을 수 있다. 따라서 도 10에 나타낸 바와 같이 데이터 구동부(300)의 각 신호선(Xi)은 역다중화기를 통하여 동일한 색상의 화소에 할당되는 것이 바람직하다. However, in general, since the current range required for expressing gray scales is different in each of the red, green, and blue pixels, the operating voltage range of the current of one output terminal in the
도 10을 보면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치의 역다중화부(400)에서, 입력단이 신호선(X1)에 연결되는 역다중화기(401)의 출력단이 R 화소의 데이터 선(R1, R2)에 연결되고, 입력단이 신호선(X2)에 연결되는 역다중화기(402)의 출력단이 G 화소의 데이터선(G1, G2)에 연결되고, 입력단이 신호선(X3)에 연결되는 역다중화기(403)의 출력단이 B 화소의 데이터선(B1, B2)에 연결되어 있다. 즉, 각각의 역다중화기는 동일한 색상의 화소의 데이터선에 연결되어 있다. Referring to FIG. 10, in the
이와 같이 하면, 데이터 구동부(300)의 각 신호선(Xj)은 동일한 색상의 화소에 해당하는 데이터 전류만을 전달하므로, 적색, 녹색, 청색의 화소는 각각의 전류 범위를 가질 수 있다. In this case, since each signal line X j of the
그리고 도 9 및 도 10의 경우 모두 두 개의 샘플/홀드 회로(410, 430)로 이루어지는 샘플/홀드 회로부 및 두 개의 샘플/홀드 회로(420, 440)로 이루어지는 샘플/홀드 회로부는 각각 하나의 색상의 화소에만 대응된다. 그런데 화소는 색상에 따라 발광 효율이나 사용되는 전류 범위가 다르므로, 도 9 및 도 10과 같이 하면 각 색상의 화소에 적합한 샘플/홀드 회로를 설계할 수 있다. 아래에서는 도 9 및 도 10의 표시 장치의 화소에 도 11의 화소 회로가 형성된 경우를 예로 들어 샘플/홀드 회로의 조건에 대해서 도 12 및 도 13을 참조하여 설명한다. 9 and 10, the sample / hold circuit part including two sample /
도 11은 샘플/홀드 회로와 화소 회로가 연결된 회로의 등가 회로도이다. 도 12 및 도 13은 각각 도 11의 샘플/홀드 회로의 샘플링 및 홀딩 동작시의 동작점을 나타내는 도면이다. 11 is an equivalent circuit diagram of a circuit in which a sample / hold circuit and a pixel circuit are connected. 12 and 13 are diagrams illustrating operating points during sampling and holding operations of the sample / hold circuit of FIG. 11, respectively.
먼저, 도 11을 보면, 도 8의 샘플/홀드 회로의 데이터선(D1)에 화소 회로(110)가 연결되어 있다. 도 11의 화소 회로(110)는 전류에 의해 데이터가 기입되며, 유기 물질의 전계 발광을 이용하는 화소 회로이다. 이 화소 회로(110)는 4개의 트랜지스터(P1, P2, P3, P4), 커패시터(Cst) 및 발광 소자(OLED)를 포함한다. 도 11에서는 트랜지스터(P1, P2, P3, P4)를 p채널형 전계 효과 트랜지스터로 도시하였다. First, referring to FIG. 11, the
트랜지스터(P1)의 소스는 전원 전압(VDD2)에 연결되고, 트랜지스터(P1)의 소스와 게이트 사이에 커패시터(Cst)가 연결되어 있다. 트랜지스터(P2)는 데이터선(Di)과 트랜지스터(P1)의 게이트 사이에 연결되어, 선택 주사선(SE1)으로부터의 선택 신호에 응답한다. 트랜지스터(P3)는 트랜지스터(P1)의 드레인과 데이터선(D1) 사이에 연결되며 선택 주사선(SE1)으로부터의 선택 신호에 응답하여 트랜지스터(P2)와 함께 트랜지스터(P1)를 다이오드 형태로 연결한다. 트랜지스터(P4)는 트랜지스터(P1)의 드레인과 발광 소자(OLED) 사이에 연결되며 발광 주사선(EM1)으로부터의 발광 신호에 응답하여 트랜지스터(P1)로부터의 전류를 발광 소자(OLED)에 전달한다. 발광 소자(OLED)의 캐소드는 전원 전압(VDD2)보다 낮은 전원 전압(VSS3)에 연결되어 있다. The source of the transistor P1 is connected to the power supply voltage VDD2, and the capacitor Cst is connected between the source and the gate of the transistor P1. Transistor (P2) is responsive to the selection signal from the data line (D i) and the transistor (P1) connected between the gate and the selection scan line (SE 1) a. The transistor P3 is connected between the drain of the transistor P1 and the data line D 1 and connects the transistor P1 in the form of a diode with the transistor P2 in response to a selection signal from the selection scan line SE 1 . do. The transistor P4 is connected between the drain of the transistor P1 and the light emitting element OLED and transmits a current from the transistor P1 to the light emitting element OLED in response to a light emission signal from the light emitting scan line EM 1 . . The cathode of the light emitting element OLED is connected to a power supply voltage VSS3 lower than the power supply voltage VDD2.
이때, 선택 주사선(SE1)으로부터의 선택 신호에 의해 트랜지스터(P2, P3)가 턴온되면 데이터선(D1)으로부터의 전류가 트랜지스터(P1)의 드레인에 흐르고, 이 전류에 대응하는 트랜지스터(P1)의 소스-게이트 전압이 커패시터(Cst)에 저장된다. 그리고 발광 주사선(EM1)으로부터 발광 신호가 인가되면 트랜지스터(P4)가 턴온되어, 커패시터(Cst)에 저장된 전압에 대응하는 트랜지스터(P1)의 전류(IOLED)가 발광 소자(OLED)에 공급된다. 이 전류에 따라 발광 소자는 발광하게 된다. At this time, when the transistors P2 and P3 are turned on by the selection signal from the selection scan line SE 1 , the current from the data line D 1 flows into the drain of the transistor P1, and the transistor P1 corresponding to this current is turned on. Source-gate voltage is stored in the capacitor Cst. When the light emission signal is applied from the light emitting scan line EM 1 , the transistor P4 is turned on so that the current I OLED of the transistor P1 corresponding to the voltage stored in the capacitor Cst is supplied to the light emitting device OLED. . According to this current, the light emitting element emits light.
다음, 도 11과 같이 화소 회로가 데이터선을 통하여 샘플/홀드 회로에 연결된 경우에 샘플/홀드 회로의 동작점에 대해서 설명한다. Next, as illustrated in FIG. 11, the operation point of the sample / hold circuit when the pixel circuit is connected to the sample / hold circuit through the data line will be described.
먼저, 앞에서 설명한 것처럼 샘플링 시에 트랜지스터(M1)의 소스-게이트 전압에 따른 트랜지스터(M1)의 전류와 드레인 전압 사이의 특성 곡선은 도 12의 ①, ②, ③ 및 ④와 같이 된다. 이때, 각각의 특성 곡선(①, ②, ③, ④)은 트랜지스터(M1)의 서로 다른 소스-게이트 전압에 대응한다. 그리고 곡선(L1, L2)은 각각 트랜지스터(Sa, M1)를 통해 흐르는 전류와 이에 따른 트랜지스터(Sa, M1)를 통한 전압 강하의 관계를 소스 전압을 전원 전압(VDD1)으로 고정하여 나타낸 것이다. 또한 트랜지스터(Sa, Sc)는 모두 소스-게이트 전압이 크고 선형 영역에서 동작하므로 트랜지스터(Sa, Sc)를 통한 전압 강하는 서로 같다고 할 수 있으며, 이에 따라 트랜지스터(Sb)의 전압 강하 곡선도 곡선(L1)과 거의 동일하게 표시된다. First, as described above, the characteristic curves between the current and the drain voltage of the transistor M1 according to the source-gate voltage of the transistor M1 at the time of sampling are as shown in ①, ②, ③ and ④ of FIG. At this time, each
그리고 노드(N1)의 전압은 전원 전압(VDD1)에서 트랜지스터(Sa, M1, Sc)를 통하여 전압 강하된 값이며, 이들 트랜지스터(Sa, M1, Sc)를 통하여 흐르는 전류와 이들 트랜지스터(Sa, M1, Sc)를 통한 전압 강하의 관계는 곡선(L3)과 같이 된다. 그러므로 곡선(L3)은 임의의 전류값에서 곡선(L1)과 전원 전압(VDD1) 사이의 거리의 두 배와 곡선(L2)과 전원 전압(VDD1) 사이의 거리의 합을 전원 전압(VDD1)에서 뺀 형태로 된다. 즉, 도 12에 나타낸 것처럼 곡선(L3)은 곡선(L2)이 왼쪽으로 기울어진 형태를 가진다. 그리고 이 곡선(L3)과 데이터 구동부(300)의 출력단에서의 전류와 전압 사이의 특성 곡선(L4)의 교점에서 샘플링 시의 동작점이 결정된다. 데이터 구동부(300)의 출력단에서의 전류는 곡선(L4)에 나타낸 것처럼 일정 범위의 동작 전압 범위에서 실질적으로 일정한 값을 가진다. 도 12처럼 데이터 구동부(300)의 출력단에서 IDATA에 해당하는 전류가 출력될 때는 동작점이 P에서 결정된다. The voltage of the node N1 is a voltage drop across the transistors Sa, M1, and Sc from the power supply voltage VDD1, and the current flowing through these transistors Sa, M1, and Sc and these transistors Sa, M1. , And the relationship between the voltage drop through (Sc) becomes as curve L3. Therefore, curve L3 is equal to twice the distance between curve L1 and power supply voltage VDD1 at any current value and the sum of the distance between curve L2 and power supply voltage VDD1 at power supply voltage VDD1. Subtracted form. That is, as shown in FIG. 12, the curve L3 has a form in which the curve L2 is inclined to the left. The operating point at the time of sampling is determined at the intersection of the curve L3 and the characteristic curve L4 between the current and the voltage at the output terminal of the
그리고 동작점이 P로 결정되면 커패시터(Cst)에는 동작점(P)을 통과하는 곡선(②)에 해당하는 소스-게이트 전압이 저장되고 동작점(P)은 곡선(②)의 포화 영역에 있게 된다. When the operating point is determined to be P, the source-gate voltage corresponding to the
다음, 홀딩 동작시에 트랜지스터(M1)의 소스-게이트 전압에 따른 트랜지스터(M1)의 전류와 소스 전압 사이의 특성 곡선을 도 13의 ⑪, ⑫, ⑬ 및 ⑭와 같이 도시하면, 각각의 특성 곡선(⑪, ⑫, ⑬, ⑭)에서의 소스-게이트 전압은 도 12의 곡선(①, ②, ③, ④)에서의 소스-게이트 전압에 해당한다. 따라서 샘플링 시에 결정된 동작점(P)에 따라 홀딩 시에는 트랜지스터(M1)의 전류와 소스 전압 사이의 특성 곡선은 곡선(⑫)을 따른다. Next, the characteristic curves between the current and the source voltage of the transistor M1 according to the source-gate voltage of the transistor M1 during the holding operation are shown as V, V, V and V in FIG. 13, respectively. The source-gate voltage at (V, V, V, V) corresponds to the source-gate voltage in the
도 13에서 곡선(L5)은 트랜지스터(Hb)와 데이터선(D1)을 통해 흐르는 전류와 이에 따른 트랜지스터(Hb)와 데이터선(D1)을 통한 전압 강하 사이의 관계를 데이터선(D1)과 화소 회로(110)와의 연결점의 전압을 전원 전압(VDD2)으로 고정하여 도시한 것이다. 도 12에서와 마찬가지로 곡선(L5)에 트랜지스터(P1, P3)를 통한 전압 강하를 더하면, 전원 전압(VDD2)으로부터 트랜지스터(P1, P3), 데이터선(D1), 트랜지스터(Hb)를 통하여 흐르는 전류와 트랜지스터(M1)의 소스인 노드(N2)에서의 전압 사이의 관계를 나타내는 곡선(L6)을 구할 수 있다. 곡선(L6)의 전류와 트랜지스터(M1)에 흐르는 전류는 같으므로 곡선(L6)과 트랜지스터(M1)의 특성 곡선(⑫)의 교점에서 홀딩 시의 동작점(Q)이 결정된다. Curve in Figure 13 (L5) is a transistor (Hb) and the data line (D 1) a through current to flow and accordingly transistor (Hb) and the data line data line the relationship between the voltage drop through the (D 1) (D 1 And the voltage at the connection point between the
그리고 도 13의 특성 곡선(⑪, ⑫, ⑬, ⑭)은 실제로 도 12의 특성 곡선(①, ②, ③, ④)을 대칭 이동한 후 트랜지스터(Ha)에서의 전압 강하를 더한 형태이다. 그러므로 샘플링 후 홀딩 시에는 동작점(P)이 곡선(②)을 따라 이동한 것과 동일하다. 즉, 샘플링 후 홀딩 시에는 트랜지스터(M1)의 소스-드레인 전압이 바뀐다고 할 수 있다. In addition, the
그런데 도 12 및 도 13에 나타낸 것처럼 실제 특성 곡선에서 포화 영역에서의 전류는 일정하지 않고 전압에 따라 증가하는 형태를 가지며, 트랜지스터(M1)의 특성 산포에 따라 전류의 기울기가 달라진다. 포화 영역에서의 트랜지스터(M1)의 전류(ID)는 수학식 1처럼 근사할 수 있다. However, as shown in FIGS. 12 and 13, the current in the saturation region in the actual characteristic curve is not constant but increases in accordance with the voltage, and the slope of the current varies according to the characteristic distribution of the transistor M1. The current I D of the transistor M1 in the saturation region may be approximated by
여기서, μ은 캐리어의 이동도, Cox는 산화막 커패시턴스, VSG는 소스-게이트 전압, VTH는 문턱 전압, λ는 상수, VSD는 소스-드레인 전압이다. Where μ is the carrier mobility, C ox is the oxide capacitance, V SG is the source-gate voltage, V TH is the threshold voltage, λ is the constant, and V SD is the source-drain voltage.
따라서 동일한 전류가 샘플링되더라도 홀딩 시의 전류는 트랜지스터(M1)의 특성에 따라 달라지며, 이러한 편차는 수학식 1에 나타낸 것처럼 트랜지스터(M1)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비(W/L)가 클수록 커진다. 따라서 트랜지스터(M1)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비(W/L)를 줄일수록 트랜지스터(M1)의 특성 편차에 따른 홀딩 전류의 편차를 줄일 수 있다. Therefore, even when the same current is sampled, the current at holding depends on the characteristics of the transistor M1, and this deviation is represented by the ratio of the channel width W and the channel length L of the transistor M1 ( The larger the W / L), the larger. Therefore, as the ratio (W / L) of the channel width (W) and the channel length (L) of the transistor (M1) is reduced, the variation of the holding current according to the characteristic variation of the transistor (M1) can be reduced.
그리고 도 11에서 예시한 것처럼 유기 물질의 전계 발광을 이용한 화소를 사용하는 경우에, 녹색(green)을 표시하는 유기 물질의 발광 효율이 청색(blue)을 표시하는 유기 물질의 발광 효율보다 3∼4배 정도 높으므로 녹색 화소에 인가되는 홀딩 전류의 편차를 특별히 작게 할 필요가 있다. 즉, 발광 효율이 가장 높은 녹색 화소의 데이터선에 연결되는 샘플/홀드 회로의 트랜지스터(M1)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비(W/L)를 최소로 할 필요가 있다. In the case of using the pixel using the electroluminescence of the organic material as illustrated in FIG. 11, the light emission efficiency of the organic material displaying green is 3 to 4 greater than that of the organic material displaying blue. Since it is about twice as high, it is necessary to make the variation of the holding current applied to the green pixel particularly small. That is, it is necessary to minimize the ratio W / L of the channel width W and the channel length L of the transistor M1 of the sample / hold circuit connected to the data line of the green pixel having the highest luminous efficiency. .
또한, 트랜지스터(M1)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비(W/L)가 작으면 도 12에서 곡선(L3)의 기울기가 작아지므로, 데이터 전류(IDATA)에 따라 이동되는 동작점(P)의 전압 범위가 넓어진다. 그런데 현재 유기 물질의 특성상 청색 유기 물질의 화소에 사용되는 전류 범위가 녹색 유기 물질의 화소에 사용되는 전류 범위의 2.5배 정도가 되므로, 녹색 유기 물질의 화소에 최적화시킨 샘플/홀드 회로를 청색 유기 물질의 화소에 사용하면 동작점(P)이 도 12에 나타낸 데이터 구동부(300)의 출력단의 동작 전압 영역을 벗어날 수 있다. In addition, when the ratio W / L of the channel width W and the channel length L of the transistor M1 is small, the slope of the curve L3 in FIG. 12 becomes small, and thus moves in accordance with the data current I DATA . The voltage range of the operating point P becomes wider. However, since the current range used for the pixel of the blue organic material is about 2.5 times the current range used for the pixel of the green organic material due to the nature of the organic material, the blue organic material is applied to the sample / hold circuit optimized for the pixel of the green organic material. When used in a pixel of, the operating point P may be outside the operating voltage region of the output terminal of the
그러므로 데이터 전류의 범위가 큰 청색 유기 물질의 화소에 적용되는 샘플/ 홀드 회로에서는 전원 전압(VDD1)을 높게 하거나 트랜지스터(M1)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비(W/L)를 크게 할 필요가 있다. 전원 전압(VDD1)이 높아지면 도 12에서 곡선이 전체적으로 오른 쪽으로 이동되므로 동작점(P)이 이동 범위를 확대할 수 있다. 그런데 이와 같이 하면 다룰 수 있는 데이터 전류의 최소값도 커지게 되므로 조정 범위가 제한적이고 소비 전력이 커지며, 또한 청색 화소에 적용되는 샘플/홀드 회로에서는 다른 전원을 사용하여야 하므로 비용이 증가한다. 그리고 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비(W/L)가 커지면 동작점(P)이 형성되는 전압 범위가 좁아지므로 데이터 구동부(300)의 출력단의 동작 전압 범위 내에서 동작점(P)이 형성될 수 있다. 그런데 이러한 경우에는 수학식 1에 나타낸 것처럼 홀딩 전류의 편차가 커질 수 있다. 따라서 위에서 설명한 두 가지 조건을 결합하여 사용할 수도 있다. Therefore, in a sample / hold circuit applied to a pixel of a blue organic material having a large data current range, the power supply voltage VDD1 is increased or the ratio of the channel width W and the channel length L of the transistor M1 (W / L) is increased. It is necessary to enlarge). When the power supply voltage VDD1 increases, the curve is moved to the right as a whole in FIG. 12, so that the operating point P can enlarge the moving range. However, this also increases the minimum value of the data current that can be handled, thereby limiting the adjustment range and increasing power consumption. Also, the cost increases because a different power source must be used in the sample / hold circuit applied to the blue pixel. In addition, when the ratio W / L of the channel width W and the channel length L is increased, the voltage range in which the operating point P is formed is narrowed, and thus the operating point within the operating voltage range of the output terminal of the
다음, 홀딩 시에도 모든 데이터 전류 범위에 대해서 트랜지스터(M1)의 특성 곡선의 포화 영역에서 동작점(Q)이 설정되어야 한다. 그리고 발광 효율이 높은 녹색 화소에 인가되는 홀딩 전류의 편차를 특별히 작게 할 필요가 있으므로, 녹색 화소의 데이터선에 연결되는 샘플/홀드 회로의 트랜지스터(M1)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비(W/L)를 최소로 할 필요가 있다. Next, even during holding, the operating point Q should be set in the saturation region of the characteristic curve of the transistor M1 for all data current ranges. In addition, since the variation in the holding current applied to the green pixel having high luminous efficiency needs to be particularly small, the channel width W and the channel length L of the transistor M1 of the sample / hold circuit connected to the data line of the green pixel are small. It is necessary to minimize the ratio (W / L).
또한, 트랜지스터(M1)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비(W/L)가 작으면 데이터 전류의 범위가 큰 청색 화소에 연결된 샘플/홀드 회로에서는 동작점(Q)이 트랜지스터(M1)의 특성 곡선의 포화 영역을 벗어날 수 있다. 이를 해결하는 방법으로 트랜지스터(M1)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비(W/L)를 크게 하는 방법, 전원 전압(VSS1)을 낮추는 방법, 전원 전압(VDD2)을 높이는 방법 또는 트랜지스터(P1)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비(W/L)를 크게 하는 방법이 있다. In addition, when the ratio W / L of the channel width W and the channel length L of the transistor M1 is small, the operating point Q is the transistor in the sample / hold circuit connected to the blue pixel having a large range of data currents. It may be outside the saturation region of the characteristic curve of M1. To solve this problem, a method of increasing the ratio W / L of the channel width W and the channel length L of the transistor M1, a method of lowering the power supply voltage VSS1, and a method of increasing the power supply voltage VDD2 is provided. Alternatively, there is a method of increasing the ratio W / L of the channel width W and the channel length L of the transistor P1.
첫 번째, 도 13에서 선형 영역의 기울기는 트랜지스터(M1)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비(W/L)가 크면 크고 채널 폭과 채널 길의 비(W/L)가 작으면 작으므로, 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비(W/L)가 큰 트랜지스터(M1)를 사용하면 포화 영역의 시작점이 왼쪽으로 이동할 수 있다. First, in FIG. 13, the slope of the linear region is large when the ratio W / L of the channel width W and the channel length L of the transistor M1 is large, and the ratio W / L of the channel width and the channel length is large. Since the smaller the smaller, the transistor M1 having a large ratio W / L of the channel width W and the channel length L can move the starting point of the saturation region to the left.
두 번째, 전원 전압(VSS1)이 낮아지면 도 13에서 트랜지스터(M1)의 특성 곡선의 출발점이 왼쪽으로 이동하므로 포화 영역의 시작점이 왼쪽으로 이동할 수 있다. 이와 같이 포화 영역의 시작점이 왼쪽으로 이동하면 동작점(Q)이 이동할 수 있는 포화 영역의 범위가 커진다. Second, when the power supply voltage VSS1 is lowered, since the starting point of the characteristic curve of the transistor M1 moves to the left in FIG. 13, the starting point of the saturation region may move to the left. As such, when the start point of the saturation region moves to the left, the range of the saturation region in which the operating point Q can move is increased.
세 번째, 전원 전압(VDD2)이 높아지면 곡선(L6)의 꼭지점이 오른쪽으로 이동하므로 동작점(Q)이 오른쪽으로 이동되어 형성되므로, 동작점(Q)이 포화 영역 내에서 움직일 수 있다. Third, since the vertex of the curve L6 moves to the right when the power supply voltage VDD2 increases, the operating point Q is formed to move to the right, so that the operating point Q may move in the saturation region.
네 번째, 트랜지스터(P1)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비(W/L)가 곡선(E)의 기울기가 커지므로 동작점(Q)이 오른쪽으로 이동되어 동작점(Q)이 포화 영역 내에서 움직일 수 있다. Fourth, since the slope of the curve E increases in the ratio W / L of the channel width W and the channel length L of the transistor P1, the operating point Q is moved to the right, thereby operating point Q ) Can be moved within the saturation region.
이상 설명한 내용을 정리하면, 최대 전류가 큰 데이터 전류를 사용하는 색상의 화소에 연결되는 역다중화기의 샘플/홀드 회로에서는, 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비(W/L)가 큰 트랜지스터(M1)를 사용하거나, 낮은 전원 전압(VSS1)을 사용하거나 높은 전원 전압(VDD1, VDD2)을 사용하거나, 화소에서 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비(W/L)가 큰 트랜지스터(P1)를 사용하면 된다. In summary, in the sample / hold circuit of the demultiplexer connected to the pixel of the color using the large data current, the ratio of the channel width (W) to the channel length (L) (W / L) Using a large transistor M1, using a low power supply voltage VSS1, or using a high power supply voltage VDD1, VDD2, or the ratio of channel width (W) to channel length (L) in a pixel (W / L) The transistor P1 having a large value may be used.
그리고 이상에서 설명한 조건은 트랜지스터(M1)가 p채널형인 경우에 성립하는 조건이며, 트랜지스터(M1, P1)가 n채널형인 경우에 최대 전류가 큰 데이터 전류를 사용하는 색상의 화소에 연결되는 역다중화기의 샘플/홀드 회로에서는, 높은 전원 전압(VSS1)을 사용하거나 낮은 전원 전압(VDD1, VDD2)을 사용하면 된다. The above-described condition is a condition established when the transistor M1 is a p-channel type, and a demultiplexer connected to a pixel of a color using a large data current when the transistors M1 and P1 are n-channel type. In the sample / hold circuit, the high power supply voltage VSS1 or the low power supply voltages VDD1 and VDD2 may be used.
이상, 본 발명의 실시예에서는 도 2와 같이 샘플/홀드 회로가 연결되는 역다중화기를 중심으로 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 샘플/홀드 회로가 다른 형태로 연결되는 역다중화기에도 적용될 수 있다. As described above, the embodiment of the present invention has been described with reference to the demultiplexer connected to the sample / hold circuit as shown in FIG. 2, but the present invention is not limited thereto and may be applied to the demultiplexer connected to the sample / hold circuit in another form. .
예를 들어, 도 14에 나타낸 바와 같이, 1:2 역다중화기에서 샘플/홀드 회로(410, 430)를 직렬로 연결하고 샘플/홀드 회로(420, 440)를 직렬로 연결할 수 있다. 도 15를 보면, T11 기간에 샘플/홀드 회로(410)가 신호선(Xi)을 통하여 인가되는 전류를 샘플링하고, 샘플/홀드 회로(430, 440)가 각각 데이터선(D1, D2)을 통하여 전류를 홀딩한다. T12 기간에 샘플/홀드 회로(420)가 신호선(Xi)을 통하여 인가되는 전류를 샘플링하고, 샘플/홀드 회로(430, 440)가 각각 데이터선(D1, D2)을 통하여 전류를 홀딩한다. T13 기간에 샘플/홀드 회로(410, 420)가 전류를 홀딩하고 홀딩되는 전류를 샘플/홀드 회로(430, 440)가 샘플링하여 데이터를 저장한다. 그리고 이러한 T11, T12, T13 기간이 하나의 수평 주기에 해당하며, T11, T12, T13 기간이 반복되어 역다중화 동작이 수행된다. For example, as shown in FIG. 14, the sample /
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발 명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.
이와 같이 본 발명에 의하면, 다른 색상의 화소에서는 다른 전류 레벨을 사용할 수 있다. 그리고 레벨이 큰 전류를 사용하는 역다중화기에서 충분한 포화 영역을 확보할 수 있다. 또한 샘플/홀드 회로를 사용함으로써 데이터 기입 시간을 줄이지 않으면서 데이터 구동 집적 회로의 개수를 줄일 수 있다. As described above, according to the present invention, different current levels may be used for pixels of different colors. In a demultiplexer using a high level current, sufficient saturation region can be obtained. In addition, the use of a sample / hold circuit can reduce the number of data driving integrated circuits without reducing the data write time.
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